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            立方砷化硼

            推薦碳化硅、氮化鎵靠邊站,最佳半導(dǎo)體材料出現(xiàn)了?

            中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)最新一期《科學(xué)》雜志,來自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機構(gòu)的一個研究團隊進行的實驗表明,一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導(dǎo)體的兩個限制:為電子和空穴提供很高的遷移率,并具有良好的導(dǎo)熱性能。研究人員[更多]

            資訊 立方砷化硼半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體碳化硅氮化鎵
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