中國(guó)粉體網(wǎng)訊 目前SiC單晶的生長(zhǎng)方法主要包括以下三種:物理氣相傳輸法、高溫化學(xué)氣相沉積法、液相法。70年代PVT法的技術(shù)突破,液相法逐漸被邊緣化。如今,由于PVT法在制造大尺寸SiC晶體和降低成本方面遇到挑戰(zhàn),液相法重新引[更多]
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