推薦氮化硅薄膜——集成電路制造至關重要的介質(zhì)材料

中國粉體網(wǎng)訊 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶絕緣物質(zhì)，氮化硅膜的介質(zhì)特性優(yōu)于二氧化硅膜，具有對可動離子阻擋能力強、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度小、化學穩(wěn)定性好、介電常數(shù)高等優(yōu)點，在集成電路制造領域被廣泛用作[更多]