中國(guó)粉體網(wǎng)訊 以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代半導(dǎo)技術(shù)已經(jīng)成為各大廠商重點(diǎn)布局的方向,同時(shí)吸引了越來(lái)越多資本的關(guān)注。近日,碳化硅功率半導(dǎo)體方案提供商忱芯科技(UniSiC)完成了由原子創(chuàng)投獨(dú)家投資數(shù)千萬(wàn)元人民[更多]
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