中國粉體網(wǎng)訊 在碳化硅生產(chǎn)流程中,襯底占整個碳化硅產(chǎn)業(yè)價值量的46%,為核心環(huán)節(jié),類型可分為導(dǎo)電型和半絕緣型襯底。導(dǎo)電型SiC襯底可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件,應(yīng)用在新能源汽車,軌道交通以及大功[更多]
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