中國粉體網(wǎng)訊 集成電路的發(fā)展要求互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管在持續(xù)縮減尺寸的同時(shí)提升性能,降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),采用新結(jié)構(gòu)或新材料對(duì)抗場效應(yīng)晶體管中的短溝道效應(yīng)、進(jìn)一步提升器[更多]
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