中國粉體網(wǎng)訊 現(xiàn)代功率半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展至今,硅基功率半導(dǎo)體器件性能已逼近其材料極限。Si IGBT作為主流的硅基功率開關(guān)器件,其具有低導(dǎo)通損耗及低成本的優(yōu)勢(shì),但高開關(guān)損耗限制了其在高開關(guān)頻率、高功率密度變換器中的應(yīng)用。作為[更多]
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