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            GaN界面態(tài)

            推薦微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進展

            中國粉體網(wǎng)訊 近日,中國科學(xué)院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態(tài)研究領(lǐng)域取得進展,在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態(tài)特性,提出了適用于較寬能量范圍的界面態(tài)U型分布[更多]

            資訊 中國科學(xué)院氮化鎵半導(dǎo)體進展GaN界面態(tài)
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