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        GaN界面態(tài)

        推薦微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進(jìn)展

        中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團(tuán)隊(duì)等在GaN界面態(tài)研究領(lǐng)域取得進(jìn)展,在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級(jí)平整界面和國(guó)際先進(jìn)水平的界面態(tài)特性,提出了適用于較寬能量范圍的界面態(tài)U型分布[更多]

        資訊 中國(guó)科學(xué)院氮化鎵半導(dǎo)體進(jìn)展GaN界面態(tài)
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