中國粉體網(wǎng)訊 氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體的代表之一,擁有寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高電子漂移速率等優(yōu)點。制備出的氮化鎵器件導通電阻小、電子遷移率高、熱導性好,而且在散熱、能耗、體積等方面也有著很大的優(yōu)勢,不僅[更多]
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