中國粉體網(wǎng)訊 近期,中科院物理研究所科研人員通過優(yōu)化生長工藝,改善晶體結(jié)晶質(zhì)量,成功制備單一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶體,并加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片,實現(xiàn)了國產(chǎn)大尺寸碳化硅單晶襯底的突破。中科院方面表示,[更多]
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