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有獎?wù)鲌D

目前，膜的重要作用正廣為大家所認(rèn)知，深圳拓?fù)渚た萍加邢薰?/span>()為了滿足廣大用戶對AAO模板、AAO濾膜、單通AAO模板、雙通AAO模板以及其它定制類產(chǎn)品的需求，充分調(diào)動和鼓勵用戶對產(chǎn)品本身以及產(chǎn)品應(yīng)用的興趣，公司將不斷完善各類AAO產(chǎn)品的進一步研發(fā)生產(chǎn)，提供高性能的產(chǎn)品服務(wù)大家！

現(xiàn)面向廣大AAO產(chǎn)品用戶，征集實驗圖例方案，并將征集辦法公告如下：

一、征集要求

1. 凡是使用AAO相關(guān)產(chǎn)品所取得的圖片均滿足要求（包括AAO材料本身以及用AAO產(chǎn)品制備的任何材料所得到的圖片）；

2. 圖片可以是光學(xué)圖、SEM圖、AFM圖等表現(xiàn)形式；

3. 圖片的提供者不限于公司客戶，所有用戶均可參賽；

二、征集方式

1.征集時間：自公布之日起至2017年9月30日止。

2.征集內(nèi)容：AAO膜實驗電子版圖例（JPG格式，并附100字左右文字說明）發(fā)送至郵箱： nano@topme***********

3.來稿須注明聯(lián)系電話、公司或高校名稱、聯(lián)系人姓名（以備獲獎聯(lián)系）。

郵件格式：

標(biāo)題：AAO參賽圖

內(nèi)容：姓名——公司或高校名稱——聯(lián)系電話

描述：100字左右

圖片附件。

三、獎項設(shè)置

1. 本期征集為**期，本期征集活動設(shè)**圖片獎1名，獎品為高檔空氣凈化器1臺；

2. 所有成功參賽者均可在下次訂購產(chǎn)品或9折優(yōu)惠。

四、其它事宜

1.所有征集作品設(shè)計版權(quán)歸作者所有，應(yīng)征作品必須是作者自己研究所得，不得拷貝；

本次征集作品由“深圳拓?fù)渚た萍加邢薰?/span>”組織相關(guān)技術(shù)專家組成評審組進行評審，評審組將于2017年10月15日前完成評審，并通知獲獎作品的作者。

超薄AAO模板

超薄AAO（Anodic Aluminum Oxide）模板為雙通結(jié)構(gòu)，厚度僅為幾十到幾百納米，廣泛應(yīng)用于納米點陣列、納米線陣列等的制備以及襯底表面圖案化處理等。超薄AAO模板孔徑均一，孔排列短程有序，氧化鋁的材質(zhì)使其在可見光波段是透明的，而且是電絕緣的。相對于其它圖形化納米結(jié)構(gòu)制備手段，超薄AAO模板的獨特優(yōu)勢在于可以輕易地獲得平方厘米的尺度低至十納米級的結(jié)構(gòu)，而且成本低廉。

圖1. （上）超薄AAO模板產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖；（下）一片較大面積的超薄AAO模板實物圖

圖2. 小面積超薄AAO模板實物圖

           超薄AAO模板的一個缺點就是操作困難，這是因為AAO厚度小于1微米時不能自支撐，而且非常脆弱，使用非常不方便。我們將超薄AAO模板表面涂覆一層PMMA作支撐，如圖1所示，可以非常方便地取放、裁剪、轉(zhuǎn)移到任意目標(biāo)襯底之上。較小面積的超薄AAO模板的實物圖如圖2所示。包裝盒內(nèi)膜的PMMA面為朝下放置。

圖3. 超薄AAO模板轉(zhuǎn)移方法示意圖

        超薄AAO模板一般需要轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底之上使用，圖3給出了帶有PMMA支撐層的超薄AAO的一種轉(zhuǎn)移方法。首先將目標(biāo)基底清洗干凈，**進行親水處理以使AAO將與基底貼合更加均勻緊密。親水處理可以采用小功率氧氣（或空氣）plasma清洗處理，或采用紫外光表面處理機處理。然后將PMMA/AAO剪裁成所需形狀和大小放置于襯底之上。采用丙酮中即可除去PMMA支撐層，在此過程中，超薄AAO模板將與襯底貼合。除去PMMA之后，由于超薄AAO很脆弱，請勿碰觸AAO超薄膜表面，以免AAO破損。轉(zhuǎn)移操作過程中所有容器及操作臺面務(wù)必事先清洗干凈。關(guān)于超薄AAO模板的詳細轉(zhuǎn)移操作以及轉(zhuǎn)移技巧請與我們聯(lián)系。

圖4. 超薄AAO（左）SEM俯視圖和（右）30°視圖

圖5. （左）轉(zhuǎn)移至硅片表面，（中）轉(zhuǎn)移到載玻片表面，（右）轉(zhuǎn)移到石英玻璃表面

圖6. 超薄AAO模板的近距離透光性。(a,b) 孔間距較小的AAO，石英片基底，（c）孔間距450nm，普通玻璃基底

        圖4為轉(zhuǎn)移到硅基底上的超薄AAO模板的SEM圖。圖5為轉(zhuǎn)移到硅片、普通玻璃以及石英玻璃表面的超薄AAO模板的實物照片。可以看到超薄與基底貼合緊密，透明度很高。采用類似方法，可以方便地將大面積的超薄AAO轉(zhuǎn)移到Si、藍寶石、SiC、ZnO、GaN、ITO、FTO、PDMS、PET等其它基底表面。以超薄AAO為掩膜版，可以進行金屬或半導(dǎo)體納米材料的沉積，從而獲得納米材料點陣，可以以金屬納米點陣為催化劑生長納米線陣列?？梢灾苯右訟AO為掩膜進行基底的刻蝕處理。

        如果您不想自己進行超薄膜的轉(zhuǎn)移，我們也提供超薄膜的轉(zhuǎn)移服務(wù)，基底由您提供或者使用我們的基底。具體的轉(zhuǎn)移收費標(biāo)準(zhǔn)請與我們的客服聯(lián)系。
        注：如果將PMMA面貼于基底，待PMMA除去后，AAO的正面與基底接觸，由于AAO正面孔與孔之間大部分是凸起結(jié)構(gòu)，所以此時AAO與基底的接觸面就比較小，與基底的結(jié)合變?nèi)?，預(yù)計AAO在后期可能更加容易用膠帶粘掉。
        超薄AAO模板在任何情況下都不可以用超聲清洗，否則可能會完全破碎。

        超薄AAO模板加熱到五六百度時可以的，但是如果加熱到更高溫度，由于膨脹系數(shù)等差異，超薄膜可能出現(xiàn)裂紋，所以高溫實驗需謹(jǐn)慎。

        孔中心間距65nm、100nm、125nm的超薄AAO模板是無色的，孔中心間距450nm的超薄膜是淡藍色的。物理蒸發(fā)制備納米顆粒選取超薄AAO時，一般選取孔直徑與膜厚的比例為1:3~1:6。AAO膜如果太薄，則膜在操作過程中容易損壞，而且AAO與基底粘附性可能會太強；如果太厚，材料蒸氣到達不了基底，導(dǎo)致沉積失敗。AAO結(jié)構(gòu)參數(shù)、沉積厚度與得到的納米顆粒的形狀的關(guān)系，可以參閱文獻：Chem. Mater., 2005, 17, 580-585。    

       將AAO轉(zhuǎn)移到基底上干燥后，如果想把基底浸沒在水溶液中，一般不可以直接將覆蓋AAO的基底直接插入水溶液中，因為水溶液的表面張力會作用于AAO膜的邊緣，很可能將AAO從基底表面掀起來而漂浮在水溶液的表面，AAO就與基底脫離了。比較保險的方法是將AAO膜的四周邊緣密封起來，比如，可以使用PMMA的丙酮溶液涂一圈，等溶劑揮發(fā)完以后，PMMA固化，從而保護AAO邊緣不與水溶液接觸，這樣會大大降低AAO與基底脫離的幾率。

      如果想提高AAO與基底的結(jié)合力，可以將AAO與基底都進行很好的親水處理，請參閱文獻Langmuir 2017, 33, 503?509。

      利用轉(zhuǎn)移的AAO做電化學(xué)沉積然后制備納米顆粒，目前可能只有2篇文獻有相關(guān)報道(Sci. Rep.2016,6,18967和Langmuir 2017, 33, 503?509)，因此風(fēng)險較高，因為轉(zhuǎn)移AAO與基底畢竟是物理吸附，電化學(xué)沉積時體系情況復(fù)雜，很可能使AAO與基底之間產(chǎn)生縫隙而導(dǎo)致不能形成顆粒，因此實驗設(shè)計時需謹(jǐn)慎。

 圖7.  超薄AAO模板制備的納米顆粒陣列示例

        溫馨提示：AAO模板為自下而上的方法制備，屬于自組織結(jié)構(gòu)，因此它的孔徑都有一定的分布范圍，而不是單一值，特別是孔間距450nm的模板不均勻性略大一些?？椎呐帕袨槎坛逃行颍ㄎ⒚准墸?，每個有序區(qū)域可稱為一個“籌”，在籌邊界處孔的形狀可能大都不是正圓形。超薄膜的孔徑分布比雙通厚膜以及單通膜寬一些。如果您對多孔膜的孔徑均勻程度要求非常高，對孔的圓形程度要求非常高，那么AAO并不是好的選擇。

 如果需要更詳細全面的產(chǎn)品介紹，請您訪問我們公司網(wǎng)站（公司網(wǎng)址： ）中超薄膜產(chǎn)品介紹。

孔間距450nm的超薄AAO模板價格為300元/片，產(chǎn)品型號中帶有字母C的為140元/片，具體請與客服聯(lián)系。

滿600元包郵。如果要求更快速的快遞，請跟客服事先溝通說明。

超薄AAO模板應(yīng)用舉例

1.鐵電納米電容器陣列的制備，應(yīng)用于高密度信息存儲 

圖1 納米電容器陣列的制備

        制備方法如上圖所示。首先將超薄AAO轉(zhuǎn)移到鍍有鉑（Pt）膜的MgO襯底之上，通過脈沖激光沉積（PLD）法先沉積一層Pb(Zr0.20Ti0.80)O3 （PZT），然后再沉積一層Pt材料，將AAO模板除去后即得到鐵電納米電容陣列。圖中（a）為制備流程示意圖，（b,c）為AAO模板以及所制備的納米電容的SEM圖。由于AAO的孔密度極高，所以所制備的金屬/鐵電/金屬納米電容器陣列可達到176 Gb/in2的存儲密度。 

參考文獻：Nature Nanotechnology, 2008, 3, 402.                                                

2. 金屬/半導(dǎo)體核殼納米顆粒陣列的制備

圖2 半導(dǎo)體納米點陣的制備

        制備方法如上圖所示。首先將超薄AAO轉(zhuǎn)移到硅襯底上，沉積金屬In之后，除去AAO模板后即得到In納米顆粒陣列。然后在氧氣氣氛下經(jīng)過一定的加熱和保溫過程，In納米顆粒表層被氧化，從而得到In/In2O3核殼結(jié)構(gòu)納米陣列，通過調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)參數(shù)，可以調(diào)節(jié)陣列的光學(xué)性能，有望應(yīng)用于納米光學(xué)器件當(dāng)中。

 參考文獻:Journal of the American Chemical Society, 2005, 127, 1487

3. 金屬納米顆粒對陣列的制備

圖3 金屬納米顆粒對陣列制備

        采用超薄AAO模板可以制備高密度的金屬納米顆粒對陣列，制備流程如上圖左圖所示，首先將AAO轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底，然后經(jīng)過兩次不同的角度沉積，在每一個孔的位置可以制備一對金屬納米顆粒陣列，其SEM圖如右上角所示。兩次沉積的金屬材料可以不同，右下所示為金、銀納米顆粒對的元素分布圖。

 參考文獻：Advanced Materials, 2000, 12, 1031.

 4. 納米線陣列的制備

圖4 納米線陣列的生長

        有序納米線陣列通?？梢圆捎妙A(yù)制金屬納米顆粒作為催化劑，然后通過化學(xué)氣相沉積（CVD）等方法獲得，超薄AAO可以作為金屬顆粒催化劑制備的模板其流程如上圖所示。已有報道的使用該路線的納米線陣列包括MgO納米線，ZnO納米線，GaAs納米線和碳納米管陣列等。

參考文獻：RSC Advance, 2012, 2, 10618;Materials Letters, 2015, 154, 40;Applied Physics Letters, 2002, 81, 5177;Chemistry of Materials, 2004; 16, 2757; Applied Physics Letters, 2009, 75, 2047. 

 5. 平整表面上制備納米凹坑陣列以及納米柱陣列

圖5 基片刻蝕

        將超薄AAO模板轉(zhuǎn)移到平整表面，通過干法刻蝕，由于AAO模板的阻擋，孔的位置將被刻蝕并形成復(fù)寫了AAO孔排列的凹坑陣列。例如，在LED芯片中的藍寶石襯底或者芯片的薄膜刻蝕出凹坑，即可提高出光效率。采用超薄AAO在襯底表面制備金屬或者其它材料陣列之后，除去AAO，再通過干法刻蝕，即可得到納米柱陣列結(jié)構(gòu)。

參考文獻：Journal of Applied Physics, 2002, 91, 2544；Nano Lett., 2008, 8, 3046.

 6. Ag納米顆粒陣列的制備及其表面修飾

圖6. Ag納米顆粒陣列的制備及其表面修飾

        2015年，德國伊爾梅瑙工業(yè)大學(xué)的Yong Lei研究組采用超薄AAO模板制備Ag納米顆粒陣列，并對其表面進行修飾，以應(yīng)用于太陽能電池效率的提高，研究結(jié)果發(fā)表在**雜志《Advanced Energy Materials》上。其樣品制備如圖6所示,。他們所用的超薄雙通AAO的孔間距約為100nm，孔徑約為60nm，膜厚約為300nm，所沉積的Ag的厚度為42nm。將AAO模板轉(zhuǎn)移到基底上后，采用電子束蒸發(fā)法沉積Ag，然后用膠帶將AAO粘去，獲得Ag納米顆粒陣列，然后采用ALD法在Ag顆粒表面包裹不同厚度的TiO2，通過TiO2包裹層厚度的調(diào)控，進而調(diào)控Ag納米顆粒的表面等離激元性質(zhì)，使其四極子振動峰與偶極子振動峰靠攏甚至重合，提高了Ag納米顆粒本身的表面等離激元共振強度，使其對光的散射更加強烈，進而提高了太陽能電池的光生載流子產(chǎn)率。

參考文獻:Adv. Energy Mater. 2015, 5, 1501654.

7. 多鐵性磁電納米顆粒陣列的制備

圖7. （a）BiFeO3/CoFe2O4/SrRuO3納米點陣制備流程示意圖。（b）納米點陣的SEM圖（c）三維AFM圖以及（d）截面TEM圖。部分AAO模板為有意保留。

多鐵性磁電（Multiferroic magnetoelectric，ME）復(fù)合材料在室溫下就表現(xiàn)出較大的ME耦合效應(yīng)，因此在很