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        銅基1000um石墨烯單晶
        銅基1000um石墨烯單晶

        參考價格

        1萬元以下

        型號

        101736-101741

        品牌

        MKNANO

        產(chǎn)地

        江蘇南京

        樣本

        暫無
        南京牧科納米科技有限公司

        會員

        |

        第10年

        |

        生產(chǎn)商

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        背景介紹:

        目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。

        石墨烯優(yōu)異的電、光、強度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學、自旋電子學、光電子學、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用,但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進入實際應(yīng)用的瓶頸之一。

        牧科納米技術(shù)團隊經(jīng)過長時間的技術(shù)攻關(guān),不用昂貴的金屬基體,在常見的銅襯底,以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法,成功制備出了100微米到幾個毫米級六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上,方便取用。

        該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量,將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場效應(yīng)晶體管,測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達7100  cm2V-1s-1。

        常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破,為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導電薄膜等領(lǐng)域的實際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。

        石墨烯單晶表征數(shù)據(jù):

        1000um級別石墨烯單晶在銅襯底上的光學顯微鏡照片:


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        單晶尺寸:1000um
        襯底:銅襯底

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        11月25日,記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉,該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領(lǐng)導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項目的支持下,在國際上首次實現(xiàn)

        【科技前沿】科學家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀

        【科技前沿】科學家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時間:2015-11-28  點擊:14 屯特大學MESA+研究中心的研究者和幾個其他機構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料。

        牧科納米技術(shù)團隊利用常見的銅襯底實現(xiàn)生長尺寸可控的高質(zhì)量石墨烯單晶

        目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼

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