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2~8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底品牌
華創(chuàng)晶瑞產(chǎn)地
浙江樣本
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6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底
直徑：150 ± 0.2 mm
厚度：350 ± 25μm
（襯底減薄>100μm）
導(dǎo)電類(lèi)型：n-type
應(yīng)用方向：SiC同質(zhì)外延
產(chǎn)品類(lèi)型：拋光片（Epi-ready）
2~ 8" N-tybe SiC substrate
碳化硅（ SiC ）是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度（約為硅的3倍）、高臨界場(chǎng)強(qiáng)（約為硅的10倍）、高熱導(dǎo)率（約為硅的3倍）等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件（電力芯片）的理想半導(dǎo)體材料。同時(shí)，也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
晶體利用率高，成本低 品質(zhì)達(dá)到P-MOS級(jí)
采用PVT長(zhǎng)晶法
籽晶粘結(jié)成功率接近100%
平均生長(zhǎng)速度0.13-0.16mm/h
長(zhǎng)晶良率高于行業(yè)水平
加工良率達(dá)到90%
有效的降低了單片成本。
SiC 晶錠一致性非常優(yōu)秀
晶片表面粗糙度0.075納米
位錯(cuò)缺陷達(dá)到MOSFET功率器件要求
第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，且其擁有體積小、污染少、運(yùn)行損耗低等經(jīng)濟(jì)和環(huán)保效益，因此第三代半導(dǎo)體材料正逐步成為發(fā)展的重心。當(dāng)前主流的第三代半導(dǎo)體材料為碳化硅與氮化硅，前者多用于高壓場(chǎng)合如智能電網(wǎng)、軌道交通；后者則在高頻領(lǐng)域有更大的應(yīng)用（5G等）。
目前我們提供標(biāo)準(zhǔn)的N型碳化硅襯底晶片。用于肖特基二極管（ SBD )、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ MOSFET )、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ JFET ）和雙極結(jié)型晶體管（ BJT ）的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括 太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電儲(chǔ)能、混合動(dòng)力、電動(dòng)汽車(chē)、充電樁、智能電網(wǎng)、家用電器等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
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