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SDBG工藝裝備品牌
通用半導(dǎo)體產(chǎn)地
江蘇樣本
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SDBG設(shè)備介紹（工藝介紹）
HGL1352系列隱形激光切割裝備是國內(nèi)首臺具備量產(chǎn)能力，且獲得先進(jìn)封裝企業(yè)認(rèn)可的SDBG裝備。是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝的SDBG工藝過程中必不可少的高精度晶圓襯底內(nèi)部隱裂紋加工設(shè)備。集成了公司的核心激光技術(shù)及一系列先進(jìn)工藝技術(shù)訣竅，在核心技術(shù)上取得了多項(xiàng)重大突破。
? 產(chǎn)品全系采用自主研發(fā)的高性能激光器及光學(xué)系統(tǒng)
? 采用優(yōu)異的散射控制技術(shù)，確保隱裂紋誘導(dǎo)的精度
? 超高精密氣浮式高速平臺
? 采用 Load port+6 軸機(jī)械臂進(jìn)行上/下料及晶圓搬運(yùn)
? 切割過程中實(shí)時補(bǔ)償、實(shí)時糾偏
HGL1352系列隱形激光切割裝備能夠精確的在晶圓襯底內(nèi)部進(jìn)行改質(zhì)并誘導(dǎo)產(chǎn)生優(yōu)質(zhì)的內(nèi)部隱裂紋（BHC）以保障后續(xù)的晶圓減薄分割工序的質(zhì)量可靠性，特別適用于先進(jìn)存儲，3D先進(jìn)封裝等超薄芯片的制造產(chǎn)業(yè)，可全面替代進(jìn)口SDBG設(shè)備。 外觀
性能
HGL1352隱形激光切割裝備，是全自主研發(fā)、設(shè)計(jì)的國產(chǎn)高性能隱形激光切割裝備，針對以固態(tài)存儲器為代表的先進(jìn)工藝半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品。
| 設(shè)備型號 | HGL1352 |
| 光路來源 | 自主設(shè)計(jì) |
| 激光器來源 | 中國 |
| 激光器冷卻方式 | 水冷 |
| 激光器質(zhì)保 | 24000小時 |
| 激光器**功率 | >18W (@100KHz) |
| **加工晶圓尺寸 | 12寸 |
| 切割軸有效行程 | 310mm |
| 切割軸**速度 | 1000mm/s |
| 切割軸**加速度 | 1.5G |
| 切割軸直線度 | 1um |
| Index軸有效行程 | 310mm |
| Index軸定位精度 | ±1um |
| Z-軸重復(fù)定位精度 | 1μm |
| Θ軸**旋轉(zhuǎn)角度 | 120° |
| 切割載臺平整度 | ≤5μm |
| 平臺基座 | 大理石 |
| 切割平臺（X/Y軸） | 氣浮高速平臺 |
| Wafer Notch識別方式 | 校準(zhǔn)器 |
| AF動態(tài)補(bǔ)償 | 支持 |
| AF測高方式 | 旁軸 |
| 光束整形 | SLM |
| 高/低倍影像識別 | IR Camera |
| 影像自動糾偏功能 | 支持 |
應(yīng)用
SDBG 裝備所擔(dān)當(dāng)?shù)墓に囘^程是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)必不可少的“高精度晶圓襯底內(nèi)部隱裂紋誘導(dǎo)加工”工藝制程，是半導(dǎo)體 3D 先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的*重要核心裝備之一。在世界范圍內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的“2.5D 封裝“ 和“3D 封裝”集成技術(shù)是提升 IC 的性能 (速度)、功耗 效率、成本效率的*重要手段，其代表封裝形態(tài)有，PBGA, FC-PBGA, 3D BGA，3D 集成芯片堆棧等。
SDBG 是 Stealth Dicing Before Grinding 的縮略簡稱，SDBG 工藝與傳統(tǒng)晶圓切割流程的不同，在【晶圓減薄】前，先在晶圓內(nèi)部利用隱形激光誘導(dǎo)制作出高精度的【內(nèi)部隱裂紋】，然后再對晶圓進(jìn)行減薄拋光，使晶圓在減薄到需要保留的厚度時，研磨拋光的應(yīng)力可以恰到好處的促使內(nèi)部隱裂紋定向擴(kuò)展，使晶圓上的獨(dú)立芯片自然分開，獲得高品質(zhì)的超薄芯片（如上圖）。SDBG工藝的優(yōu)勢不僅是高效、安全，還可以讓芯片更強(qiáng)（由于 SDBG 是在利用研磨減薄和拋光階段讓晶圓自然分開，可以完全釋放掉由于切割造成的晶圓內(nèi)部應(yīng)力，不會出現(xiàn)傳統(tǒng)切割無法避免的“崩 邊”、“龜裂”等質(zhì)量風(fēng)險，通過 SDBG 工藝獲得的超薄芯片，比傳統(tǒng)機(jī)械式切割工藝的DBG工藝的芯片強(qiáng)度高 30%以上），是國際上***、*安全，**效的超薄晶圓分割技術(shù)。
SDBG 工藝的先進(jìn)性和技術(shù)優(yōu)勢是需要結(jié)合諸如先進(jìn)的隱形激光技術(shù)、多種復(fù)雜的裝備制造技術(shù)、先進(jìn)控制技術(shù)等系統(tǒng)工程才能保障其工藝效果,關(guān)鍵核心技術(shù)是：
1、如何精確控制隱形激光在晶圓襯底內(nèi)部的散射，均勻穩(wěn)定的形成改質(zhì)層以精確誘導(dǎo)產(chǎn)生向附有電路層 的晶圓正面發(fā)展，恰到好處的到達(dá)晶圓正表面。而此時晶圓不能分裂。
2、精準(zhǔn)控制襯底內(nèi)部的激光改質(zhì)層深度，不能讓改質(zhì)層到達(dá)需要保留的芯片厚度的范圍內(nèi)（20~100μm）。
3、如何控制內(nèi)部改質(zhì)的應(yīng)力強(qiáng)度及方向，保障隱裂紋的直線度，垂直度質(zhì)量。
基于上述技術(shù)瓶頸，長期以來 SDBG 工藝裝備一直被國際裝備廠家所壟斷，是國內(nèi)的技術(shù)空白裝備。
暫無數(shù)據(jù)！
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