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            半導(dǎo)體級導(dǎo)電型碳化硅多晶粉-JCEC1500NZ
            半導(dǎo)體級導(dǎo)電型碳化硅多晶粉-JCEC1500NZ

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            半導(dǎo)體級導(dǎo)電型碳化硅多晶粉-JCEC1500NZ

            品牌

            晶彩科技

            產(chǎn)地

            浙江

            樣本

            暫無
            紹興晶彩科技有限公司

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            紹興晶彩科技有限公司作為國內(nèi)可以生產(chǎn)粒度從亞微米級到毫米范圍半導(dǎo)體級碳化硅粉料的企業(yè)。主營第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶專用的多晶粉體、高純石墨粉、高純石墨件、高純石墨氈;半導(dǎo)體制程所需的高精密特種碳化硅陶瓷件專用超高純粉體;5G領(lǐng)域?qū)S玫臒峁芾聿牧蠈?dǎo)熱填料。

             

            公司與國內(nèi)一流高校聯(lián)合技術(shù)攻關(guān),建立了高純粉末材料研發(fā)及檢測中心、超高純碳化硅粉料生產(chǎn)基地。技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)從事人工晶體生長及硅基材料新技術(shù)研發(fā)近20年,公司致力于成為第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶高純原輔材料研發(fā)與生產(chǎn)的高科技型企業(yè),目前已有一大批具有超高純度(6N及以上)、粒徑尺寸及均一性、晶型一致性的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品投入批量生產(chǎn)。

            Shaoxing Jingcai Technology Co., Ltd. is the first enterprise in China capable of producing semiconductor-grade silicon carbide powder with particle sizes ranging from submicron to millimeter. We specialize in polycrystalline powders, high-purity graphite powders, high-purity graphite components, and high-purity graphite felt exclusively for third-generation semiconductor silicon carbide single crystals; ultra-high purity powders exclusively for high-precision silicon carbide ceramic components essential for semiconductor manufacturing processes; specialized thermal management materials, thermal conductive fillers, for the 5G sector.

             

            In collaboration with top domestic universities, the company has established a research and testing center for high-purity powder materials and a production base for ultra-high purity silicon carbide powder. The R&D team has nearly two decades of experience in artificial crystal growth and the development of new silicon-based material technologies. It has independently developed and made breakthroughs in in-situ synthesis of high-purity silicon carbide polycrystalline powder, securing over ten national invention patents. The company aims to be a high-tech enterprise dedicated to research and production of high-purity raw materials for third-generation semiconductor silicon carbide single crystals, with a substantial range of products boasting ultra-high purity (6.8N and above), consistent particle size and uniformity, and matching crystal structure now in mass production.


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