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        CVD氣相沉積法二硫化鉬薄膜
        CVD氣相沉積法二硫化鉬薄膜

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        面議

        型號

        CVDGEPET 7440-44-0

        品牌

        碳豐

        產(chǎn)地

        蘇州

        樣本

        暫無
        蘇州碳豐石墨烯科技有限公司

        高級會員

        |

        第11年

        |

        生產(chǎn)商

        工商已核實(shí)

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        單層連續(xù)薄膜二硫化鉬薄膜藍(lán)寶石基底,

        單層連續(xù)薄膜二硫化鉬薄膜SIO2/SI基底,

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        基本性質(zhì):
        無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導(dǎo)體,屬于過渡金屬二硫族化合物,塊狀能帶間隙為1.23eV (間接帶隙),單層MoS2帶隙~1.85eV(直接帶隙)。
         
        制造方法:
        化學(xué)氣相沉積法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
         
        產(chǎn)品簡介:

        碳豐科技的MoS2薄膜分為多種:
        1) 單層離散分布的三角狀單晶晶粒,三角邊長一般是幾十至一百微米。
        2) 由三角晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜。
        3) 多層MoS2 連續(xù)薄膜。
        4) 基底:MoS2可選基底較多,其中*常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在藍(lán)寶石上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。

        應(yīng)用領(lǐng)域:
        光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。

        包裝及規(guī)格
        10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片,4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。
        凈化抽真空包裝, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
        單層MoS2孤立晶粒  



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