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碳化硅作為C和Si穩(wěn)定的化合物，其晶格結(jié)構(gòu)由致密排列的兩個亞晶格組成，每個Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強四面體sp3鍵結(jié)合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現(xiàn)象，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。*常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型體具有不同的電學(xué)性能與光學(xué)性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，熱導(dǎo)率約為Si的4.4倍，臨界擊穿電場約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍。SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料，可應(yīng)用于大功率的電子轉(zhuǎn)換器及汽車馬達等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。另外，采用SiC所制備的發(fā)光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍光到紫光的波段，在光信息顯示系統(tǒng)及光集成電路等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。
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