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光致發(fā)光(photoluminescence)即PL，是用紫外、可見(jiàn)或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光，

在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測(cè)量應(yīng)用中通常是用激光（波長(zhǎng)如325nm、532nm、785nm等）

激發(fā)材料（如GaN、ZnO、GaAs等）產(chǎn)生熒光，通過(guò)對(duì)其熒光光譜（即PL譜）的測(cè)量，

分析該材料的光學(xué)特性，如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、

成分及環(huán)境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，

因而在物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。

傳統(tǒng)的熒光光譜儀一般采用透鏡收光的方式，針對(duì)發(fā)光非常微弱的納米材料，

即便用激光器激發(fā)，也很難獲得較好的信號(hào)。結(jié)合多年的實(shí)際測(cè)樣經(jīng)驗(yàn)，

良允科儀推出了顯微PL系統(tǒng)，采用顯微物鏡收光，

較傳統(tǒng)的熒光光譜儀其收光效率提升了至少3個(gè)數(shù)量級(jí)，

因此特別適用于傳統(tǒng)熒光系統(tǒng)難以檢測(cè)到的微弱信號(hào)，

另外其輔助的白光成像功能，還可以實(shí)現(xiàn)微區(qū)（微米級(jí)）定位測(cè)量。 

應(yīng)用領(lǐng)域：

·  半導(dǎo)體材料

·  納米材料

·  薄膜材料

·  光波導(dǎo)器件

·  LD, LED外延片

產(chǎn)品特點(diǎn)：

·  光譜范圍：200-1700nm

·  光斑大?。骸?0μm（325nm激光、100X物鏡）

·  光譜分辨率：優(yōu)于0.1nm

·  白光成像分辨率：亞微米級(jí)

·  激光器：266nm、325nm、360nm、405nm、488nm、510nm、532nm、633nm、

785nm等可選

·  樣品臺(tái)：手動(dòng)/電動(dòng)可選

·  采譜模式：?jiǎn)吸c(diǎn)掃描/線掃描可選

系統(tǒng)功能：

·  微區(qū)PL測(cè)量

·  可同時(shí)配置多路激光器

·  自由光路耦合，保障高的通光效率

·  顯微光路設(shè)計(jì)，保障高的激發(fā)、收集效率

·  高精度位移臺(tái)，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)定位測(cè)量

擴(kuò)展功能：

·  微區(qū)電致發(fā)光（EL）測(cè)量

·  熒光壽命測(cè)量：ps-ms量級(jí)

·  自動(dòng)Mapping功能：50mm×50mm行程，步進(jìn)精度1μm

·  光電流譜（成像）測(cè)量

·  光電材料響應(yīng)度測(cè)試

·  變溫附件：77K-600℃/4K、10K超低溫

實(shí)測(cè)案例：

樣品（粉末）：8%Ag2S/SnS2-ND

激發(fā)光源：405nm激光器，積分時(shí)間：0.5s；