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面議型號(hào)
圖形發(fā)生器——Pharos Ex品牌
金竟科技產(chǎn)地
北京樣本
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為滿足納米級(jí)電子束曝光系統(tǒng)的需求,北京金竟科技有限責(zé)任公司**推出自主研發(fā)的Pharos Ex圖形發(fā)生器系統(tǒng)。圖形發(fā)生器是電子束曝光系統(tǒng)的核心部件,采用現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門陣列器件(FPGA)作為核心處理器,將矢量圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電子束曝光數(shù)據(jù),通過優(yōu)化設(shè)計(jì)的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路,將數(shù)字量轉(zhuǎn)化成高精度的模擬量,驅(qū)動(dòng)掃描電鏡的掃描偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)偏轉(zhuǎn)電子束進(jìn)行多路徑掃描。
圖形發(fā)生器對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣片進(jìn)行圖像采集,完成寫場(chǎng)的線性畸變校正(掃描場(chǎng)增益、旋轉(zhuǎn)和位移校正)。圖形發(fā)生器控制束閘的通斷,配合高精度X-Y納米位移臺(tái),可實(shí)現(xiàn)寫場(chǎng)的拼接及套刻,拼接及套刻精度優(yōu)于100 nm。
技術(shù)參數(shù)
(1)圖形拼接精度:≤±100 nm(含有高精度位移臺(tái));
(2)圖形套刻精度:≤±100 nm(含有高精度位移臺(tái));
(3)掃描速度:**至20 MHz;
(4)線寬測(cè)量:根據(jù)SEM類型,優(yōu)于50nm(場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡);
(5)配置高精度壓電位移臺(tái);
(6)可選配電子束束閘及其控制器,信號(hào)開關(guān)速度優(yōu)于50ns。
暫無數(shù)據(jù)!