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氮化硅片
可提供各種規(guī)格高質(zhì)量氮化硅片,及氮化硅片加工定制服務(wù)。
尺寸:2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸;
晶向:<100>、<111>、<110;
氮化層SiO2膜厚;厚度:5nm-10um,常規(guī):100-500nm;
表面:單面氧化、雙面氧化;
加工方法:氧化爐/PECVD等;
類型:N型、P型、非摻雜高阻;
電阻率:重摻雜<0.001ω.cm,輕摻雜1~100ω.cm,非摻>1000~>20000Ω.cm;
氮化硅片
可提供各種規(guī)格高質(zhì)量氮化硅片,及氮化硅片加工定制服務(wù)。
尺寸:2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸;
晶向:<100>、<111>、<110;
氮化層SiO2膜厚;厚度:5nm-10um,常規(guī):100-500nm;
表面:單面氧化、雙面氧化;
加工方法:氧化爐/PECVD等;
類型:N型、P型、非摻雜高阻;
電阻率:重摻雜<0.001Ω.cm,輕摻雜1~100Ω.cm,非摻>1000~>20000Ω.cm;
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