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聲學(xué)級(jí)鈮酸鋰晶體品牌
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鈮酸鋰（ＬＮ）晶體具有優(yōu)良的壓電、電光、聲光、非線性等性能。在民用領(lǐng)域有著廣泛的用途，隨著光電技術(shù)的發(fā)展， ＬＮ晶體還是較好的壓電晶體，能用于制作中低頻SAW濾波器，大功率耐高溫的超聲換能器等。
| 項(xiàng)目 | 名 稱 | 規(guī) 格 |
| 1 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ2″Y軸Z軸X軸 |
| 2 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ2″64°Y-X |
| 3 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ2″128°Y-X |
| 4 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ3″Y軸Z軸 |
| 5 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ3″64°Y-X |
| 6 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ3″128°Y-X |
| 7 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ4″Y軸Z軸 |
| 8 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ4″64°Y-X |
| 9 | 鈮酸鋰基片和晶體 | Φ4″128°Y-X |
基本性質(zhì)（Basic Properties）
晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure | Trigonal, point group3m |
晶格常數(shù) Lattice Parameters | a=5.148, c=13.863 |
密度 Density | 4.64g/cm3 |
熔點(diǎn) Melting Point | 1250℃ |
居里溫度 Curie Point | 1142±2℃ |
硬度 Mohs Hardness | 5 |
介電常數(shù) Dielectric Constant | ε11/ε0=85; ε33/ε0=29.5 |
電阻系數(shù)Thermal Conductivity | 38W/m/℃at25℃ |
熱膨脹系數(shù) Thermal Expansion Coefficient | a1=a2=2×10-6/℃, a3=2.2×10-6/℃at25℃ |
壓電常數(shù) Piezoelectric Strain Constant | d22=2.04×10-11C/N,d33=0.6×10-11C/N,d15=7X10-11C/N，d31=-0.1X10-11C/N |
Elastic Stiffness Constant | C11E=2.04×1011N/m2,C33E=2.46×1011N/m2, |
聲表面波級(jí)鈮酸鋰晶片（SAW Grade LiNbO3Wafer）
軸向 Orientation | 64°rot.Y-cut ± 0.2° | 127.86°rot.Y-cut ± 0.2° | Y-cut ± 0.2° |
直徑 Diameter | 76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm | 76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm | 76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm |
基準(zhǔn)面 Orientation Flat (OF) | 22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° | 22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° | 22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° |
第二參考面 Second Refer. Flat (RF) | 10mm±3mm Cw180° ± 0.5° from OF | 10mm±3mm Cw225° ± 0.5° from OF | 10mm±3mm Cw270° ± 0.5° from OF |
厚度 Thickness | 500um ± 20um 350um ± 20um | 500um ± 20um 350um ± 20um | 500um ± 20um 350um ± 20um |
傳播表面 Propagating surface | “+” side Ra ≤ 8 | “+” side Ra ≤ 8 | “+” side Ra ≤ 8 |
晶片背面 Wafer backside | GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um | GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um | GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um |
TTV | ≤ 10um | ||
LTV | ≤ 2.0um within an area of5×5mm2 | ||
PLTV | ≥ 95% (3mmfrom edge excluded) | ||
BOW | -25um ≤ Bow ≤ +25um | ||
居里溫度 Curie Temperature | 1142℃±3℃(DTA method) | ||
邊緣倒角Edge Beveling | Edge rounding | ||
暫無數(shù)據(jù)！
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