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二硒化鉬晶體-MoSe2品牌
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產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)：
| 產(chǎn)品名稱 | 二硒化鉬晶體-MoSe2e |
| 貨號 | RDB-DJ-006 |
| 性質(zhì) | 半導體晶體 |
| 帶隙 | 單層MoSe2帶隙約1.55eV |
| 參數(shù) | 尺寸:~5 mm-8 mm 顏色 : 銀灰色 |
| 應(yīng)用 | 半導體電子器件，光學器件等研究 |
產(chǎn)品規(guī)格：
面積尺寸>25 mm2(1-3 塊/包裝
面積尺寸>35 mm2
面積尺寸>50 mm2
SnSe晶體的照片:
截面SEM:
XRD: Raman:
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高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同，高熵合金沒有主體元素，傾向于形成簡單固溶體結(jié)構(gòu)，
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