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跟傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si相比，第三代半導(dǎo)體在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、禁帶寬度、電子飽和速度、熔點(diǎn)以及熱導(dǎo)率方面都具有**優(yōu)勢(shì)。
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