參考價(jià)格
面議型號(hào)
12英寸工業(yè)級(jí)原子力顯微鏡品牌
江蘇才道產(chǎn)地
江蘇樣本
暫無(wú)看了12英寸工業(yè)級(jí)原子力顯微鏡的用戶又看了
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
1、原子力顯微鏡是可以實(shí)現(xiàn)納米尺度下高精度三維成像及測(cè)量的顯微工具。
2、主要應(yīng)用于半導(dǎo)體微納器件和納米材料的表面三維形貌、粗糙度、缺陷等測(cè)量。
3、本款國(guó)產(chǎn)化儀器具備性能穩(wěn)定、測(cè)量精度高、測(cè)量速度快等特性。
4、可選配電性模塊、力學(xué)模塊、納米操作模塊等定制。
5、掃描模式有頭掃描和樣品掃描兩種模式
6、樣品尺寸,從2英寸至12英寸,還可特殊訂制。
主要功能介紹:
*該系統(tǒng)采用當(dāng)今國(guó)際***的一體式中央控制三維全量程閉環(huán)頭部掃描。壓電陶瓷掃描頭在低工作電壓下提供X,Y和Z方向的高精準(zhǔn)度納米級(jí)運(yùn)動(dòng),具有高度線性運(yùn)動(dòng)和無(wú)蠕變的顯著優(yōu)點(diǎn)。
*CD—AFM-12S配備尖端頭部掃描模塊,此配置在靈活性和樣本的大小方面提供了顯著的優(yōu)勢(shì)。被測(cè)樣品大小與重量不受限制,幾乎任何大小或重量的納米材料都可進(jìn)行表面三維形貌與粗糙度的測(cè)量。
*可實(shí)現(xiàn)大范圍的高精度掃描,樣品尺寸和重量不受限制,如大光柵、特殊形狀光柵等。(需定制選配)
*CD—AFM-12S及CD—AFM-12S PRO除常規(guī)測(cè)試模塊,還可根據(jù)用戶需求進(jìn)行個(gè)性化定制:得益于開(kāi)放式平臺(tái)的設(shè)計(jì),可增加對(duì)晶圓的應(yīng)力、翹曲度檢測(cè)。
檢測(cè)定位方式:軟件控制的行程300mm二維工作臺(tái)自動(dòng)定位,保證12英寸樣品無(wú)盲區(qū)定位和檢測(cè)。馬達(dá)加壓電陶瓷自動(dòng)探測(cè)的智能進(jìn)針模式,以保護(hù)探針和樣品。探針升降行程優(yōu)于20mm(探針升降行程還可優(yōu)于30mm及以上,便于測(cè)量厚度更大的樣品。)
*超實(shí)用和擴(kuò)展,可以實(shí)現(xiàn)各種測(cè)量?jī)x器的聯(lián)動(dòng)使用,*終實(shí)現(xiàn)跨尺度原位檢測(cè)。
*原位數(shù)字化高分辨光學(xué)顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng),配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,同軸可調(diào)亮度輔助照明光源。
*配備封閉式金屬防護(hù)罩,氣動(dòng)減震器平臺(tái),強(qiáng)大的抗干擾能力,始終使噪聲比達(dá)到**狀態(tài)。
主要應(yīng)用場(chǎng)景:
微納材料表面三維形貌、粗糙度的檢測(cè)——
包括:晶圓(硅片);光柵;陶瓷;合金;薄膜;晶體;超晶玻璃;高分子材料;復(fù)合材料;第三代半導(dǎo)體砷化鎵、氮化鎵、鈮酸鋰化合物襯底等。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo):
1、工作模式:
Tapping mode(輕敲模式)、contact mode(接觸模式)、non-contactmode(非接觸模式)、Phase Imaging Mode(相位成像模式)、Force curve: F-Z force curve, RMS-Z curve(力曲線:F-Z力曲線,RMS-Z曲線)、LFM(側(cè)向力模式)、EFM(靜電力顯微鏡)、MFM(磁力顯微鏡)、SKPM(掃描開(kāi)爾文顯微鏡)、Piezoresponse force microscopy(PFM) (壓電力顯微鏡)、Conducting atomic force microscope(C-AFM) I-V曲線(導(dǎo)電原子力顯微鏡)、Young's modulus 楊氏模量(選配)、Nanolithography and Nanomanipulation(納米刻蝕和納米操作)。
2、XYZ掃描方式:一體式三維全量程閉環(huán)頭部掃描,實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋,定位更精準(zhǔn)。具備全探針掃描技術(shù)的掃描器,掃描過(guò)程中由掃描器帶動(dòng)探針進(jìn)行XYZ三個(gè)方向的移動(dòng),而樣品為靜止?fàn)顟B(tài)。
3、XYZ 掃描范圍:≥90μm×90μm×10μm掃描器噪聲:Z方向≤0.035nm;XY方向≤0.15nm。
4、進(jìn)針?lè)绞剑褐悄茏詣?dòng)進(jìn)針?lè)绞?,采用馬達(dá)加壓電陶瓷自動(dòng)探測(cè)的智能進(jìn)針模式,以保護(hù)探針及樣品。探針升降行程優(yōu)于20mm(探針升降行程還可優(yōu)于30mm及以上,便于測(cè)量厚度更大的樣品。)
5、樣品臺(tái)尺寸≥300mm;能放置**樣品高度≥20mm;樣品大小重量不受限,樣品臺(tái)自動(dòng)移動(dòng)XY行程≥300x300mm。真空吸附樣品臺(tái),自動(dòng)適應(yīng)各種尺寸晶圓的全軟件控制的多道真空吸軌并且可360度旋轉(zhuǎn)。
6、控制器內(nèi)置三個(gè)鎖向放大器,控制器反饋?lái)憫?yīng)時(shí)間2μs。控制器在XYZ三個(gè)軸上都有三個(gè)獨(dú)立的16位DAC位的數(shù)模轉(zhuǎn)換器,(共18個(gè))用來(lái)控制掃描尺寸和掃描形狀等。每條掃描線可獲得更多的數(shù)據(jù)點(diǎn)(≥16000);8通道同時(shí)成像;可同時(shí)獲得≥5000×5000數(shù)據(jù)點(diǎn)。
7、熱噪音法標(biāo)定探針彈性系數(shù)的頻率上限≥2MHz;皮牛級(jí)力作反饋進(jìn)行表面成像,力曲線頻率≥2000Hz。只需選擇掃描范圍,就能夠在掃描過(guò)程自動(dòng)調(diào)節(jié) 接觸力、電路增益等參數(shù)。
8、可在液體環(huán)境中進(jìn)行形貌測(cè)試。
9、可實(shí)現(xiàn)微區(qū)電、磁疇結(jié)構(gòu)表征(晶粒/晶界、疇/疇壁)、微區(qū)性能(電容、電流、極化強(qiáng)度等)分析??蓪?shí)現(xiàn)靜電力顯微鏡和掃描開(kāi)爾文探針顯微鏡的單次成像技術(shù),顯著提高測(cè)試的分辨率和靈敏度。具備形貌,面外和面外壓電力信號(hào)同時(shí)實(shí)時(shí)掃描成像功能。供快速力譜功能。
10、多點(diǎn)自動(dòng)掃描模式。
11、高精度納米力學(xué)測(cè)試模式,定量楊氏模量、黏附力,定量形變量等二維分布圖的同時(shí),還實(shí)時(shí)獲得測(cè)試范圍的電流二維分布圖。納米力學(xué)和表面電勢(shì)原位測(cè)試模式:實(shí)時(shí)獲得測(cè)試范圍各處的表面電勢(shì)分布圖。
12、掃描電容顯微鏡模塊,通過(guò)測(cè)量微電容變化,得出載流子濃度分布圖像。
13、掃描擴(kuò)散電阻顯微鏡模塊。
14、光學(xué)定位:具有二維測(cè)量功能的原位數(shù)字化高分辨光學(xué)顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng),配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,同軸可調(diào)亮度輔助照明光源。
15、防震措施: 一體封閉式隔音及防電磁屏蔽裝置,氣浮防震臺(tái),帶自動(dòng)充氣泵。
產(chǎn)品參數(shù)
標(biāo)配工作模式 | 接觸 、輕敲、非接觸、相位 、橫向力力曲線測(cè)試 、摩擦力、力矩陣模式(可測(cè)樣品彈性模量和粘附力 ) 納米操控/納米加工,納米刻蝕。 | 噪音水平 | <0 .1nm |
選配工作模式 | 磁力,靜電力、導(dǎo)電力掃描電勢(shì)(SKPM開(kāi)爾文)高級(jí)力曲線,多通道數(shù)據(jù)采集 | 掃描速率 | 0.1Hz~20Hz,掃描角度 0~360° |
**樣品尺寸 | Φ≥300MM H≥50MM(2-- 12英寸或定制) | 掃描控制 | XY采用18-BIT D/A,Z采用16-BIT D/ A |
閉環(huán)掃描范圍 | XY向40μm、60UM、100UM,Z 向17μm | 數(shù)據(jù)采樣 | 14-BIT A/D 、雙 16-BIT A/D 多路同步采樣 |
閉環(huán)掃描分辨率 | XY向0.15nm,Z向0.035nm | 反饋方式 | DSP 數(shù)字反饋 |
樣品移動(dòng)范圍 | 300mm×300mm,按需求定制 | 反饋采樣速率 | 64.0KHz |
輔助光學(xué)定位 | 光學(xué)分辨率 1μm 配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,同軸可調(diào)亮度輔助照明光源 | 通信接口 | USB2.0/3.0 |
減震臺(tái) | 減震頻率 0.5Hz | 運(yùn)行環(huán)境 | WINDOWS XP/7/8/10 操作系統(tǒng) |
暫無(wú)數(shù)據(jù)!