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碳化硅晶體生長爐品牌
哈爾濱科友產(chǎn)地
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一、設(shè)備結(jié)構(gòu)
二、設(shè)備概述
碳化硅晶體生長爐主要用于物理氣相傳輸法（PVT）生長大尺寸、高質(zhì)量SiC 單晶。
三、技術(shù)優(yōu)勢
1、采用雙線圈設(shè)計，基于多物理場仿真模擬，分別優(yōu)化兩個線圈的間距、匝數(shù)、線圈位置等參數(shù)實現(xiàn)籽晶與料源溫場的獨立控制，獲得大尺寸高質(zhì)量碳化硅生長的溫場。
2、開展坩堝獨立旋轉(zhuǎn)機構(gòu)設(shè)計研究，創(chuàng)新型的在坩堝旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)中引入獨立支撐設(shè)計，使坩堝在生長過程中獨立于保溫旋轉(zhuǎn)，降低保溫對坩堝溫場的影響。解決碳化硅單晶生長中因爐次之間保溫損耗及變形導致溫場不可控的難題，提升晶體生長成品率。
3、結(jié)合數(shù)值模擬和理論計算，優(yōu)化坩堝和溫度梯度結(jié)構(gòu)，揭示晶體結(jié)晶和動力學過程，突破6英寸SiC 晶體的制備工藝，有力解決SiC 晶體缺陷富集的難點問題。
四、設(shè)備參數(shù)
| 石英反射器 | 直徑440mmx900mm | 電源頻率，HZ | 50±1 |
**操作溫度2600° C （氬氣中） | 相數(shù) | 3 | |
| 工作氣體 | 氬氣，氮氣 | 壓縮氣體，Mpa | 0.6 |
| **真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率，kw | 50 |
| 發(fā)電機功率 kw | 70kw | 晶體生長天數(shù)，天 | 7 |
| 發(fā)電機功率頻率 kHz | 12kHz | 氮氣消耗量，m3/爐 | ≤0.25 |
| 自動化參數(shù)控制系統(tǒng) | 電極接法 | △ | |
| 冷卻系統(tǒng) | 50kW冷卻裝置（閉合電路） | 設(shè)備外形尺寸（長x寬x高）mm | 920x920x2790 |
| 電源電壓，V | 380±19 | **電流，A | 90 |
| 輸出電壓，V | 500-550 |
注：可根據(jù)客戶要求，進行定制服務
暫無數(shù)據(jù)！
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