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儀器簡介：
日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測(cè)試儀， 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。
AET公司開發(fā)了二種共振腔：空洞共振腔和開放式同軸共振腔用于測(cè)試環(huán)境腔。
技術(shù)參數(shù)：
頻率范圍：1G~20GHz
同軸共振腔：
介電常數(shù)Epsilon：1~15，準(zhǔn)確度：+/-1%，
介電損耗tangent delta：0.05~0.0001，準(zhǔn)確度：+/-5%
主要特點(diǎn)：
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。
印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的， 玻纖介電常數(shù)為5~6， 樹脂大約是3， 由于樹脂含量， 硬化程度， 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差， 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易， 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低，。
日本AET 公司針對(duì)CCL/印刷電路板設(shè)計(jì)空洞共振腔測(cè)試裝置 ， 只需裁成小長條狀即可量測(cè)精確的復(fù)介電常數(shù)(Dk)， 尤其是低損耗(Df)的樣品， 測(cè)量值非常精準(zhǔn)。
用于介電常數(shù)測(cè)試儀，介電常數(shù)分析，介電損耗測(cè)試，高頻介電常數(shù)測(cè)量。
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