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設(shè)備特點(diǎn)
●工件臺(tái)：圓周旋轉(zhuǎn)或者掃描運(yùn)動(dòng)，刻蝕角度可調(diào)，刻蝕均勻性高，兼容刻蝕和拋光功能
●工件臺(tái)采用水冷，確保晶片低溫刻蝕
●可配置等離子體中和槍，確保晶片表面無(wú)電荷積累
●可配置法拉第測(cè)束裝置，確保工藝參數(shù)的可重復(fù)
●真空系統(tǒng)分子泵/低溫泵可選
技術(shù)指標(biāo)
●工件臺(tái)
適用晶片尺寸：4"～8"，兼容不規(guī)則方片
圓周旋轉(zhuǎn)/往復(fù)掃描運(yùn)動(dòng)
●離子源：考夫曼離子源
離子束能量：0eV～1000eV連續(xù)可調(diào)
束流 ：**200mA （圓形）或**300mA （條形）
●刻蝕均勻性 ：片內(nèi)±5%，片間±3%
應(yīng)用范圍
用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、NiCr等
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