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InGaAs陣列短波紅外相機
PSEL公司使用的InGaAs陣列短波紅外相機，具有極低低暗電流和低缺陷像素數(shù)。得益于高效的冷卻和穩(wěn)定的偏置基線，PSEL的短波紅外InGaAs相機可以在SWIR光譜中進行精確的計量測量。Camera Link和千兆以太網(wǎng)視覺兼容的界面接口使相機集成到客戶現(xiàn)有系統(tǒng)變得很容易。具有可見光擴展的640 x 512 VGA SWIR芯片以及320 x 256分辨率的qVGA兩種選擇。
有特殊要求項目或冷卻選項的OEM客戶自定義版本可用于集成到客戶特定的儀器/系統(tǒng)中。
InGaAs陣列短波紅外相機主要特征：
14bit 數(shù)字化讀出/16bit 影像處理；
讀出噪音低至 30-120e-
幀頻 >110fps;
**線性響應(yīng)在不同強度或曝光；
千兆以太網(wǎng)/ Camera Link 接口
l提供SDK軟件開發(fā)包和Labview VI
主要應(yīng)用：
IC器件檢測、IC工藝過程檢測
短波紅外嵌入式視覺加強系統(tǒng)
短波紅外機載裝備
太陽能電池的光致發(fā)光
天文
高光譜成像
激光束整形
技術(shù)參數(shù)：
型號 | PSEL VGA 15μm | PSEL qVGA 30μm | |
光譜響應(yīng)范圍 | 900-1700nm | ||
幀頻 | 174fps(在全VGA分辨率下） 570fps(在1/4 VGA分辨率下） 7200fps( 640x4分辨率或光譜模式） | 110 fps 在全幅qVGA 分辨率 | |
芯片尺寸 | 9.6mmx7.68mm | ||
像素分辨率 | 640x512像素 | 320x256像素 | |
單像元大小 | 15um x 15um | 30um x 30um | |
滿阱容量 | 20k-23k e-(高增益模式） 80k-105ke-(中增益模式） 1000K-1500k e-(低增益模式） | 110k-150k e- （高增益模式） 1500k-2200k e- (低增益模式) | |
讀出噪聲 | 28-38e-(高增益模式） 50-77e-(中增益模式） 500-800e-(低增益模式） | 110-200e-(高增益模式） 1000-1590e-(低增益模式） | |
制冷溫度 | -25°C (風(fēng)冷）; -40°C (水冷） | -20°C (風(fēng)冷）; -40°C (水冷） | |
暗電流 | <0.7fA（風(fēng)冷）; <0.1fA (水冷） | <8 fA（風(fēng)冷）; <0.5fA (水冷） | |
A/D | 14-bit 數(shù)字化讀出，16-bit數(shù)字化處理 | ||
曝光時間 | 30us - 1 min | 1us-1s | |
QE@ 1500 nm | 80% | ||
IC 版顯微發(fā)光成像—水冷SWIR InGaAs 相機， 20倍物鏡，曝光時間30s
MEMS 圓片透射顯微紅外成像—使用SWIR InGaAs 相機，6x 物鏡，曝光時間15ms
暫無數(shù)據(jù)！
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