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        ESS03波長掃描時(shí)式多入射角光譜橢偏儀
        ESS03波長掃描時(shí)式多入射角光譜橢偏儀

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        型號

        品牌

        產(chǎn)地

        北京

        樣本

        暫無
        北京賽凡光電儀器有限公司

        會員

        |

        第2年

        |

        生產(chǎn)商

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        ES0S3是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量領(lǐng)域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀,此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠(yuǎn)紅外。

        ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。

        ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如,膜層厚度、表面微粗糙度等)和光學(xué)參數(shù)(如,折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等),也可用于測量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。

        ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

        技術(shù)特點(diǎn):

        • 極寬的光譜范圍

          采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì),保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度,非常適合于對光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場合。
        • 靈活的測量設(shè)置

          儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定(包括:波長范圍、掃描步距、入射角度等),極大地提高了測量的靈活性,可以勝任要求苛刻的樣品。
        • 原子層量級的檢測靈敏度

          國際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜,膜厚精度達(dá)到0.05nm。
        • 非常經(jīng)濟(jì)的技術(shù)方案

          采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量,儀器整體成本得到有效降低。

        應(yīng)用領(lǐng)域:

        ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

        ESS03適合很大范圍的材料種類,包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測,光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn),這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。

        ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括:微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

        薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等,典型應(yīng)用如:

        • 半導(dǎo)體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等);
        • 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
        • 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
        • 生物和化學(xué)工程:有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
        • 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域:LOW-E玻璃等。
        ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。典型應(yīng)用包括:

        • 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

        技術(shù)指標(biāo):

        項(xiàng)目
        技術(shù)指標(biāo)
        光譜范圍
        ESS03VI:370-1700nm
        ESS03UI:245-1700nm
        光譜分辨率(nm)
        可設(shè)置
        入射角度
        40°-90°手動(dòng)調(diào)節(jié),步距5,重復(fù)性0.02
        準(zhǔn)確度
        δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
        (透射模式測空氣時(shí))
        膜厚測量重復(fù)性(1)
        0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
        折射率n測量重復(fù)性(1)
        0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
        單次測量時(shí)間
        典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式)
        光學(xué)結(jié)構(gòu)
        PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度)
        可測量樣品**尺寸
        直徑200 mm
        樣品方位調(diào)整
        高度調(diào)節(jié)范圍:10mm
        二維俯仰調(diào)節(jié):±4°
        樣品對準(zhǔn)
        光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng)
        軟件
        •多語言界面切換
        •預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
        •安全的權(quán)限管理模式(管理員、操作員)
        •方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
        •豐富的模型數(shù)據(jù)庫
        選配件
        自動(dòng)掃描樣品臺
        聚焦透鏡
        注:(1)測量重復(fù)性:是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。

        可選配件:

        • NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
        • NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
        • VP01真空吸附泵
        • VP02真空吸附泵
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