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ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如,膜層厚度、表面微粗糙度等)和光學(xué)參數(shù)(如,折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等),也可用于測量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
ESS03適合很大范圍的材料種類,包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測,光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn),這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。
ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括:微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等,典型應(yīng)用如:
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
光譜范圍 | ESS03VI:370-1700nm ESS03UI:245-1700nm |
光譜分辨率(nm) | 可設(shè)置 |
入射角度 | 40°-90°手動(dòng)調(diào)節(jié),步距5,重復(fù)性0.02 |
準(zhǔn)確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時(shí)) |
膜厚測量重復(fù)性(1) | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n測量重復(fù)性(1) | 0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時(shí)間 | 典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式) |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度) |
可測量樣品**尺寸 | 直徑200 mm |
樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍:10mm |
二維俯仰調(diào)節(jié):±4° | |
樣品對準(zhǔn) | 光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng) |
軟件 | •多語言界面切換 |
•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用 | |
•安全的權(quán)限管理模式(管理員、操作員) | |
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫 | |
選配件 | 自動(dòng)掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
暫無數(shù)據(jù)!