EM13LD 系列是采用先進的測量技術,針對普通精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領域推出的多入射角激光橢偏儀。
EM13LD系列采用半導體激光器作為光源,可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量??捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜的**厚度測量。
EM13LD系列采用了量拓科技多項**技術。
特點:
次納米的高靈敏度
國際先進的采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.5nm。
3秒的快速測量
國際水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在3秒內(nèi)快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。
應用:
- EM13LD系列適合于普通精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
- EM13LD系列可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
- EM13LD可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等??蓱玫膲K狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。
技術指標:
項目 | 技術指標 |
儀器型號 | EM13 LD/635 (或其它選定波長) |
激光波長 | 635 nm (或其它選定波長,高穩(wěn)定半導體激光器) |
膜厚測量重復性(1) | 0.5nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率測量重復性(1) | 5x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 與測量設置相關,典型3s |
**的膜層范圍 | 透明薄膜可達1000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關 |
光學結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
激光光束直徑 | 2mm |
入射角度 | 40°-90°可手動調(diào)節(jié),步進5° |
樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié):±4° 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng) |
樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
**外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺,真空吸附泵 |
軟件(ETEM) | * 中英文界面可選 * 多個預設項目供快捷操作使用 * 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合 * 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 * 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。
性能保證:
- 穩(wěn)定性的半導體激光光源、先進的采樣方法,保證了穩(wěn)定性和準確度
- 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
- 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設計、可靠的樣品方位對準,結(jié)合先進的采樣技術,保證了快速、穩(wěn)定測量
- 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
- 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用
可選配件:
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
- NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
- VP01真空吸附泵
- VP02真空吸附泵
- 樣品池