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            德國Phystech FT1030深能級瞬態(tài)譜儀DLTS
            德國Phystech FT1030深能級瞬態(tài)譜儀DLTS

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            德國

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            弘度科學儀器(上海)有限公司

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            HERA-DLTS

            高能分辨率深能級瞬態(tài)譜(DLTS)

            PhysTech在1990年推出了**臺數(shù)字DLTS,隨著電腦技術(shù)的發(fā)展,使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上,用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程,如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS(等溫瞬態(tài)光譜)信號重疊法、溫度掃描信號重疊法(重折疊)。與其他系統(tǒng)相比,HERA-DLTS具有無法比擬的能量分辨率。

            半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。此設(shè)備根據(jù)半導體P-N 結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法,能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS 譜。

            特點:

            • 自動接觸檢查

            • 常規(guī)測試和加強軟件

            • 自動電容補償

            • 三終端FET電流瞬態(tài)測量

            • 大電容和濃度范圍

            • 靈活性高、模塊化硬件

            • 支持各種冷卻倉和溫度控制器

            • 傅里葉轉(zhuǎn)換(F-DLTS),比例窗口和用戶自定義校正功能

            • DLTFS(深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀)評價

            操作模式:

            • C-DLTS

            • CC-DLTS

            • I-DLTS

            • DD-DLTS

            • Zerbst-DLTS

            • O-DLTS

            • FET-Analysis

            • MOS-Analysis

            • ITS(等溫瞬態(tài)光譜儀)

            • 缺陷分析

            • 俘獲截面測量

            • I/V, I/V(T)理查森標繪圖

            • C/V, C/V(T)

            • TSC/TSCAP

            • PITS(光子誘導瞬態(tài)譜)

            • DLOS(特殊系統(tǒng))

            規(guī)格:

            分辨率:

            1*108 atoms/cm3

            脈沖發(fā)生器

            電壓范圍:±20.4V(±102opt.)
            電壓分辨率:0.625mV
            **電流:>±15mA
            脈沖寬度:1μs-1000s
            快速脈沖選配
            電容表
            HF信號:100Mv@1MHz(20mV optional)
            范圍[pF]:3,30,300,3000(自動或手動)
            電容補償:0.1-3000 pF(自動或手動)
            靈敏度:0.01 fF
            電壓測量
            范圍:±10V
            靈敏度:<1μV
            輸入電阻:106Ohm
            可提供偏壓補償:

            電流測試

            范圍:

            5,從±1μA 到±10mA

            靈敏度:

            <1pA
            可提供漏電保護
            瞬態(tài)記錄

            樣品速率:

            2μs到2000s

            樣品數(shù)量:

            16-16384(opt.64k)

            可調(diào)節(jié)抗失真濾膜

            標準冷卻倉
            溫度范圍:15K-450K或77K~800K
            溫度掃描方式:使用28個不同的相關(guān)功能(軟件)通過一次溫度掃描,給出28個溫度掃描信號。
            典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV)
            靈敏度:10-7T/(ND-NA)<10-5
            能量精度:HT+/-3%
            能量分辨率:10meV
            發(fā)射率:10-3/s4/s

            Options

            • Constant Capacitance

            • Optical Excitation

            • Fast Pulse Interface

            • ±100 V Option

            • Multi Sample Interface

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