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        OXIDE PPMgSLT倍頻晶體
        OXIDE PPMgSLT倍頻晶體

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        eatures

        • QPM device which has periodically poled structure in MgSLT

        • High photorefractive damage resistance.

        • High thermal conductivity

        • Suitable for green light generation several tens watts

        • High conversion efficiency (deff 7~9pm/V)

        • Unique material for QPM with high transparency at 300~400 nm in wavelength

        Specification

        SHG Output Power>1W
        Maximum Input Capacity>10W
        Non-linear Coefficient(deff)>7.5pm/V
        Phase Matching Temperature40+/- 10 degree C
        Crystal Size (T x W)0.5mm x 2mm
        Crystal Lengh (L)10mm , 30mm
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