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        GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體
        GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體

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        GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體,擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

        寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

        注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質(zhì)軟,易碎。

        應(yīng)用領(lǐng)域

        ?太赫茲時域系統(tǒng)

        ?太赫茲源晶體

        ?中遠(yuǎn)紅外氣體探測

        ?CO2激光的SHG

        ?THZ實驗光源

        ?太赫茲成像

        產(chǎn)品特點

        ? 太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域

        ? 抗損傷閾值高

        ? 非線性系數(shù)大

        ? CO2激光的SHG

        ? 多種尺寸可選

        ? 客戶導(dǎo)向的解決方案

        ? 接受客戶定制服務(wù)

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