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Si棱鏡
光學(xué)級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 更高的電阻率材料可客戶定制，特別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ，可以提供沒有這種吸收的浮區(qū)材料。
硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。
硅通過Czochralski拉伸技術(shù)（CZ）生長并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過浮區(qū)（FZ）工藝制備。 光學(xué)硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段**透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補(bǔ)償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。
詳細(xì)參數(shù)：
透射范圍：1.2?15μm（1）
折射率： 3.4223 @5μm（1）（2）
反射損耗： 46.2％（5μm）（2個表面）
吸收系數(shù)： 0.01cm -1 at 3μm
吸收峰： n / a
dn / dT： 160×10-6 /℃（3）
dn /dμ= 0： 10.4μm
密度： 2.33g / cc
熔點： 1420℃
熱導(dǎo)率： 273.3W m-1 K-1
熱膨脹： 2.6×10 -6 /℃at20℃
硬度： Knoop 1150
比熱容： 703JKg-1K-1
介電常數(shù)： 13 at 10GHz
楊氏模量（E）： 131GPa（4）
剪切模量（G）： 79.9GPa（4）
體積模量（K）： 102GPa
彈性系數(shù)： C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）
表觀彈性極限： 124.1MPa（18000 psi）
泊松比： 0.266（4）
溶解性：不溶于水
分子量： 28.09
類別/結(jié)構(gòu)： 立方鉆，Fd3m
折射率：
No = Ordinary Ray
μm | No | μm | No | μm | No |
1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
11.04 | 3.4176 |
訂購信息：
Product Code SIFZPRISM25.4-BREW
IR Polished Silicon (Si) brewster angle prism
25.4 x 14 x 18mm brewster angle (73.98°) prism.
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