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IRD-GE-05 Ge大光敏面鍺光電二極管－近紅外波長(zhǎng)
產(chǎn)品描述
筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。
我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。
為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔。
產(chǎn)品特點(diǎn):
?小光敏面大光敏面可選 (100μm to 25mm)
? 800nm to 1800nm 光譜響應(yīng)
?高線性> 10 dBm
?可以定制透鏡組合(Biconvex， Planoconvex， or Ball)
?封裝方式可選(TO-46， TO-18， TO-5， TO-8， TO-9 or BNC)
應(yīng)用領(lǐng)域
激光功率計(jì)
?LED/LD老化診斷
?光譜學(xué)
?LED/LD特性
?眼睛安全激光檢測(cè)傳感器
技術(shù)參數(shù)、
Specifications | |
探測(cè)材料 | Ge |
響應(yīng)波長(zhǎng) | 800 - 1800 nm |
峰值波長(zhǎng) | 1550 nm (Typ.) |
響應(yīng)度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直徑 | 19.6 mm2 (?5 mm) |
上升/下降沿時(shí)間 (RL = 50 Ohms， 10 V) | 220 ns / 220 ns (Typ.) |
NEP， Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗電流 (5 V) | 60 μA (Max.) |
電容(10 V)電容(0 V) | 1800 pF (Max.)16000 pF (Max.) |
分流電阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封裝形式 | TO-8 |
Max Ratings | |
**擊穿打壓 | 10 V |
操作溫度 | -55 to 60 °C |
存儲(chǔ)溫度 | -55 to 60 °C |
注1：典型值；RL = 50 Ω，除非另有說(shuō)明
2.NEP指定在光伏模式下
光譜響應(yīng)曲線：
引腳定義
推薦電路：
訂購(gòu)型號(hào)：
型號(hào)： IRD-GE-05 單價(jià)：1950元/片 庫(kù)存數(shù)量：2只
描述：
光譜響應(yīng)范圍:800-1800nm
直徑:5mm;
響應(yīng)度@1550nm:0.85 A/W
2Pin腳
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