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專門為電子束敏感樣品和需**300萬倍穩(wěn)定觀察的先進(jìn)半導(dǎo)體器件,高分辨成像所設(shè)計(jì)。
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV (SE)
1.2nm / 1kV (SE)
0.34nm / 30kV (STEM)
用改良的高真空性能和****的電子束穩(wěn)定性來實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
暫無數(shù)據(jù)!