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兆聲濕法去膠技術(shù)
SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)概述:
**技術(shù)的兆聲和清洗技術(shù)的發(fā)展,對MEMS和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了**的水平,可以幫助用戶獲得*干凈的晶圓片和掩模版。
NANO-MASTER提供兆聲單晶圓&掩模清洗(SWC)系統(tǒng),用于***的無損兆聲清洗??梢赃m用于易受損的帶圖案或無圖案的基片,包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到**化的清洗效果,兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的**技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面,通過分布能量的**化支持*理想的清洗,同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。
SWC系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力,這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng),可以**程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力,提供了可控的化學(xué)試劑在整個基片上的分布。
通過聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術(shù),系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升,從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去,而把回附的數(shù)量降到了*低水平。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優(yōu)勢,***的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會有更大數(shù)量的顆粒回附,并且因此需要更多的去除這些顆粒。
此外,NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除,而無須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達到納米級的顆粒去除。根據(jù)不同的應(yīng)用,某些選配項將會進一步提高設(shè)備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。
SWC系統(tǒng)能夠就地實現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干?!案蛇M干出” 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以*低的投資和購置成本來實現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內(nèi)完成,具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。
NANO-MASTER的技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準(zhǔn)標(biāo)記,降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準(zhǔn)備表面以便再次覆膜。此外,帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏。
SWC是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備,并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力,并可用于非常廣泛的基片。
SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)應(yīng)用:
光刻膠去除,剝離
帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片
Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗
CMP處理后的晶圓片清洗
晶圓框架上的切粒芯片清洗
等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗
帶保護膜的分劃版清洗
掩模版空白部位或接觸部位清洗
X射線及極紫外掩模版清洗
光學(xué)鏡頭清洗
ITO涂覆的顯示面板清洗
兆聲輔助的剝離工藝
SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)的特點:
支持12”直徑的圓片或9”x9”方片
獨立系統(tǒng)
無損兆聲,試劑,毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干
微處理機自動控制
化學(xué)試劑滴膠單元
溶劑與酸分離排廢
熱氮
30”D x 26”W 的占地面積
SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)選配項:
機械手自動上下載片
掩模板或晶圓片夾具
臭氧清洗
PVA軟毛刷清洗
高壓DI清洗
氮氣離子發(fā)生器
暫無數(shù)據(jù)!