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            薄膜應(yīng)力測試儀
            薄膜應(yīng)力測試儀

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            全球先進(jìn)的薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),又名薄膜應(yīng)力計或薄膜應(yīng)力儀!MOS美國**技術(shù)(**號US 7,391,523 B1)!曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee!

            系統(tǒng)采用非接觸MOS激光技術(shù);不但可以對薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行準(zhǔn)確的測量,而且還可二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計分析;同時可準(zhǔn)確測量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系;

            全球知名高等學(xué)府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué)等)、中國計量科學(xué)研究院、中科院上海微系統(tǒng)所、中科院上海光機(jī)所、中科院半導(dǎo)體所、半導(dǎo)體制和微電子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

            相關(guān)產(chǎn)品:

            1. 實(shí)時原位薄膜應(yīng)力儀:同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時原位測量和二維成像分析;

            2. 薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng);

            技術(shù)參數(shù):薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力測試儀,薄膜應(yīng)力計,薄膜應(yīng)力儀,F(xiàn)ilm Stress Tester, Film Stress Measurement System;

            1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍:300mm (XY)(可選);

            2.XY雙向掃描速度:可達(dá)20mm/s;

            3.XY雙向掃描平臺掃描步進(jìn)分辨率:2 μm ;

            4.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品;

            5.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;

            6.成像功能:樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像,及3D成像分析;

            7.測量功能:曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等;

            主要特點(diǎn):

            1.程序化控制掃描模式:單點(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;

            2.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力2D成像分析;

            3.測量功能:薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等;

            4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測量功能,溫度范圍-65C to 1000C;(選配)

            5.薄膜殘余應(yīng)力測量;

            測試實(shí)例:

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