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Intense**的QWI技術可以增大半導體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內(nèi)產(chǎn)生有源區(qū)和無源區(qū)，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡（NAMs），可有效地避免其他半導體激光器件常見的光學災變（COMD），性能更可靠穩(wěn)定。產(chǎn)品包括：高功率可見光和近紅外半導體激光器器件和陣列，可獨立尋址的半導體激光器陣列。
主要特點
·Series 5200: 635-655nm，功率1.5W-6W
·Series 5300: 670-690nm，功率2.5W-10W
·高效率耦合、輕易操作接口
·數(shù)個Series1200或Series1300聯(lián)合
·應用包括光動力療法、照明、醫(yī)療成像和診斷
暫無數(shù)據(jù)！
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