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Intense**的QWI技術(shù)可以增大半導(dǎo)體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內(nèi)產(chǎn)生有源區(qū)和無(wú)源區(qū)，并在腔面形成一種無(wú)源吸收反射鏡(NAMs)，可有效地避免其他半導(dǎo)體激光器件常見(jiàn)的光學(xué)災(zāi)變(COMD)，性能更可靠穩(wěn)定。產(chǎn)品包括：高功率可見(jiàn)光和近紅外半導(dǎo)體激光器器件和陣列，可獨(dú)立尋址的半導(dǎo)體激光器陣列。
主要特點(diǎn)
·量子阱混合技術(shù)、300個(gè)獨(dú)立控制發(fā)射單元
·波長(zhǎng)808， 830， 980 nm，單路功率<160mW
·節(jié)約成本、高可靠性
·應(yīng)用包括直接打印、激光打標(biāo)系統(tǒng)
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