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紅外光晶圓檢查顯微鏡 IR Light Wafer Inspection Microscope

應(yīng)用：

以下兩張圖片是用紅外光顯微鏡拍攝的。

在絕緣體上硅(SOI)晶圓片上制作的部分微結(jié)構(gòu)的俯視圖。

紅外圖像相同的地區(qū)經(jīng)過(guò)60分鐘的高頻氣相腐蝕。掩埋的二氧化硅的蝕刻變得可見(jiàn)，這使得可以確定釋放和非釋放部分

idonus紅外顯微鏡的特點(diǎn)：

1、背面紅外光源

2、頂部光源

3、XY移動(dòng)臺(tái)ZUI大可檢測(cè)晶圓尺寸8英寸

4、長(zhǎng)工作距離物鏡

5、三步變焦

6、紅外傳感器鏡頭

7、通過(guò)計(jì)算機(jī)查看

idonus紅外顯微鏡的應(yīng)用：

1、釋放后的MEMS器件的檢查

2、填埋材料的蝕刻速率測(cè)試（如SOI晶圓）

3、融熔接合的檢查

4、硅晶圓/碎片的背面校準(zhǔn)

5、質(zhì)量控制

idonus紅外顯微鏡的優(yōu)點(diǎn)：

1、在較高的填充因子下的可靠的加工更小的MEMS圖案

2、頂部和背部光源

3、高分辨率（5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm）

4、更小的印跡

5、操作簡(jiǎn)單，快速顯示結(jié)果

產(chǎn)品型號(hào)：IRM 200-auto可放置晶圓尺寸：200mm（8英寸）以內(nèi)

XY臺(tái)移動(dòng)距離：200 X 200 mm

XY臺(tái)移動(dòng)方式：通過(guò)操縱桿全自動(dòng)控制

產(chǎn)品型號(hào)：IRM 100-man可放置晶圓尺寸：100mm（4英寸）以內(nèi)

XY臺(tái)移動(dòng)距離：100 X 100 mm

XY臺(tái)移動(dòng)方式：手動(dòng)

其他參數(shù)：

光學(xué)分辨率：5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm

工作距離：32mm

放大倍數(shù)：2.5X ， 5X ， 10X （5倍物鏡下）

變焦：三步變焦0.5X ， 1X ， 2X

攝像頭：黑白，USB接口輸出，分辨率140萬(wàn)像素

紅外光源波長(zhǎng)：1 μm

可選配件：2.5X，10X，20X物鏡；10mm，150mm晶圓適配環(huán)；圖像識(shí)別軟件