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Leica EM RES102
多功能離子減薄儀,適用于TEM,SEM以及LM的樣品制備
離子束研磨
近來,離子束研磨技術(shù)已經(jīng)被發(fā)展為非常適宜無機材料樣品分析的一項樣品制備技術(shù)。離子束研磨技術(shù)是利用高能量的離子束轟擊方式以去除樣品表面物質(zhì)或?qū)悠繁砻嫫鸬叫揎椬饔?。離子槍(在一個高真空環(huán)境中)產(chǎn)生離子束,以一個入射角度向樣品表面轟擊 。
對于TEM樣品的離子束減薄,通常離子束以一個較低的入射角度轟擊到樣品表面,起到樣品表面拋光作用,直到將薄片樣品被研磨至電子束透明為止。
對于SEM樣品的表面修飾作用,可利用較大的入射角度進行離子束研磨來實現(xiàn),入射角度可達到 90°。SEM樣品制備包含樣品表面離子清潔,離子束拋光和襯度增強。
先進的解決方案
Leica EM RES102 是一款先進的離子束研磨設(shè)備,帶有兩個鞍形場離子源,離子束能量可調(diào),以獲得優(yōu)良的離子研磨結(jié)果。這一款獨立的桌面型設(shè)備集TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體,這與市面上其它設(shè)備不同。除了高能量離子研磨功能外,徠卡EM RES102 還可用于低能量很溫和的離子束研磨過程。
TEM樣品
· 單面或雙面離子束研磨適用于材料的離子束減薄過程。鞍形場離子源可獲得很大的電子束透明薄區(qū)。
· 程序化控制的離子入射角度變化,適用于完成特殊的樣品制備目的,例如FIB樣品清潔,以減少無定形非晶層。
SEM或LM樣品
·離子束拋光**拋光區(qū)域可達25mm。
· 離子束清潔適用于對樣品表面污染層或機械拋光后表面產(chǎn)生的涂抹層進行清潔。
· 樣品表面襯度增強作用,可替代化學(xué)刻蝕作用。
· 35°斜坡切割用于制備多層樣品的截面。
· 90°斜坡切割用于制備復(fù)合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體樣品或組裝器件,這種方式可大大減少機械預(yù)加工工作量。
主要特點
· 一臺桌面型設(shè)備,集TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體
· 通過局域網(wǎng)實現(xiàn)對離子研磨過程遠程遙控
· 離子束拋光區(qū)域很大,可達25mm
· 離子研磨過程參數(shù)全電腦控制
TEM,SEM或LM樣品制備-在于您的選擇
為了支持多樣化的應(yīng)用需求,Leica EM RES102 可以裝配各種樣品臺以適用于TEM,SEM及LM樣品制備。預(yù)抽室系統(tǒng)實現(xiàn)樣品快速交換,從而可有效提高樣品交換效率。
SEM
該樣品臺適用于SEM和LM樣品的離子束清潔,拋光和襯度增強,可在環(huán)境溫度下或LN2制冷情況下使用。SEM樣品臺可以制備尺寸達25mm的樣品。適配器用于夾持商品化生產(chǎn)的帶有3.1mm直徑插針的SEM的樣品座。
SEM
斜坡切割樣品臺適用于切割樣品獲得縱截面(90°)或斜截面(35°),便于SEM觀察樣品內(nèi)部縱向結(jié)構(gòu),可以在環(huán)境溫度下或LN2制冷情況下使用。
SEM
薄片樣品臺用于夾持尺寸為5(H)×7(W)×2(D)mm樣品。該樣品臺可以很方便地被直接轉(zhuǎn)移進SEM中,而不需要取出樣品。
TEM
TEM樣品夾用于單面或雙面離子束減薄,減薄角度可低至4°。
TEM
TEM冷凍樣品夾具與LN2制冷裝置聯(lián)用,用于制備溫度敏感型樣品。
FIB
FIB清潔樣品臺用于清潔FIB樣品,減少表面無定形非晶層。
帶給您的好處
徠卡EM RES102 可對樣品進行離子束減薄,清潔,截面切割,拋光以及襯度增強,這大大滿足了您對應(yīng)用需求的多樣化和便利性。
操作簡便
· 19”觸摸屏電腦控制單元,監(jiān)控并記錄制樣過程
·內(nèi)置應(yīng)用參數(shù)庫
·程序化制樣參數(shù)設(shè)定,加速初學(xué)者學(xué)習(xí)曲線
·幫助文件幫助初學(xué)者以及對設(shè)備進行維護
高效/節(jié)約成本
· TEM,SEM和LM應(yīng)用功能集于一體
·TEM樣品制備獲得的薄區(qū)大,有效提高了TEM樣品制備效率
·SEM樣品制備**可達25mm樣品直徑
·預(yù)抽室系統(tǒng)幫助快速交換樣品,減少等待時間,并保證了樣品室的持續(xù)高真空
·局域網(wǎng)功能方便遠程操控
·LN2樣品臺使得溫度敏感型樣品可在優(yōu)化條件下進行離子研磨
安全
·精確的自動終止功能,適用于光學(xué)終止或透明樣品的法拉第杯終止
·在制樣過程中可以實時存儲活圖像或視頻
·離子源和樣品運動馬達驅(qū)動,程序化控制,因而可獲得重復(fù)性制樣結(jié)果
技術(shù)參數(shù)
離子源
離子槍 | 兩把鞍形場離子槍,離子研磨區(qū)域大 |
離子能量 | 0.8kev至10kev(0.1kev每步) |
離子束流 | ≤4.5mA(每把離子槍) |
離子束流密度 | 8kV/3mA條件下約1mA/cm2(每把離子槍) |
離子束半高寬FWHM | 10keV條件下0.8mm,2keV條件下2.5mm |
使用氣體 | 氬氣,純度99.999%(Ar5.0)進氣氣壓200-800mbar |
氣體流速 | 每把離子槍小于1 sccm,自動控制 |
傾斜角度設(shè)定(電腦控制)
離子槍傾斜 -離子槍1 -離子槍2 | ±45°(精度為0.1°) ±45°(精度為0.1°) |
樣品臺傾斜范圍 | -230°至100°(精度為0.1°) |
離子研磨角度范圍 | -90°至90°(角度與不同樣品臺有關(guān)) |
樣品移動范圍(電腦控制)
旋轉(zhuǎn)速率 | 0.6至10rpm |
擺動范圍 | ≤360°,每步1° |
零位設(shè)置 | 每步1° |
X方向移動 | ±5mm,精度0.1mm |
傾斜范圍 | -230°至100° |
裝載樣品尺寸
冷凍裝置(選配)
· 自動液氮制冷接觸裝置
· 自動加熱裝置避免潮濕污染樣品
· LN2消耗量約0.6L/h
操作控制(用戶界面)
· Windows 7操作系統(tǒng),19英寸觸摸屏電腦控制
· 具有局域網(wǎng)遠程控制和監(jiān)視功能
· 內(nèi)置應(yīng)用程序庫
· 可個性化修改和存儲離子研磨參數(shù),單個程序使用或組合程序序列
真空系統(tǒng)
· 無油真空系統(tǒng),<1×10-5mbar,配置4段式隔膜泵和渦輪分子泵(70L/s)
· 配置預(yù)抽真空室,樣品交換時間小于1分鐘
真空檢測
· 全程范圍真空檢測,Pirani真空計檢測低真空,冷陰極檢測高真空
觀察系統(tǒng)
· 數(shù)字CMOS彩色攝像頭,帶自動放大觀察功能,自動光圈調(diào)整和自動聚焦
· 可實時存儲圖像和錄像
· 離子束感光功能(偽彩色圖像),用于精準(zhǔn)調(diào)整離子槍對中
自動終止離子束加工過程
· 通過時間終止
· 對于不透明樣品的光學(xué)終止
· 對于不透明和透明樣品的法拉第杯終止(選配)
電氣參數(shù)
電壓 | 90至260VAC,50/60Hz |
功率 | ≤400W |
尺寸與重量
主機 | 寬 | 深 | 高 | 凈重 |
720mm | 700mm | 950mm | ~100kg |
與徠卡EM TXP 相兼容
在使用徠卡EM RES102 之前,往往需要對樣品進行機械預(yù)加工以切割研磨拋光到盡可能接近于目標(biāo)區(qū)域。徠卡EM TXP 是一款專門的可對目標(biāo)區(qū)域進行精準(zhǔn)定位的表面處理設(shè)備,可對樣品進行切割及拋光等,適合于作為如徠卡EM RES102 等設(shè)備的前期制樣工具。徠卡EM TXP 可對樣品進行諸如切割,銑削,研磨及拋光等前處理,尤其適用于需要目標(biāo)精細(xì)定位或需對微小目標(biāo)進行定點處理的高難度樣品。
徠卡EM TXP 是一款專門的可對目標(biāo)區(qū)域進行精準(zhǔn)定位的表面處理設(shè)備,可對樣品進行切割及拋光等,適合于作為如徠卡EM RES102 等設(shè)備的前期制樣工具。
徠卡EM TXP/EM RES102 應(yīng)用于SEM
利用徠卡EM TXP 制樣獲得的一個金線焊點(如左圖)。再用徠卡EM RES102對同一個金線焊點做離子束拋光約30分鐘(右圖)。
LEICA EM RES102 -多功能離子減薄儀
徠卡EM TXP/EM RES102 應(yīng)用于TEM
一個封裝集成電路樣品,經(jīng)徠卡EM TXP制備成直徑3mm,厚度40μm的截面薄片樣品,被夾持在徠卡EM RES102 TEM 樣品夾中。
徠卡納米技術(shù)部-Leica Nano Technology
為透射電鏡/掃描電鏡提供樣品制備全套解決方案。徠卡納米技術(shù)部提供:超薄切片、組織處理、高壓冷凍、鍍膜、臨界點干燥、機械研磨拋光、離子束研磨、冷凍斷裂/復(fù)型及真空環(huán)境傳輸?shù)雀黝惣夹g(shù)手段,適用于TEM/SEM/FIB/LM/AFM 樣品制備。
徠卡顯微系統(tǒng)——具有強大全球客戶服務(wù)網(wǎng)絡(luò)的國際性公司:
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