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L79/HCS系統(tǒng)可用于半導(dǎo)體組件性能表征，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數(shù)。
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結(jié)合高溫爐（溫度可達(dá)240°C）可保證所有應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)境條件下的測(cè)試。永磁體和電磁鐵可提供高達(dá)數(shù)個(gè)特斯拉強(qiáng)度的固定或者可變磁場(chǎng)。
基于測(cè)量軟件可顯示的視窗內(nèi)容包括I-V 和 I-R 數(shù)據(jù)圖.
系統(tǒng)可測(cè)試多種材料包括Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N 型或P型均可測(cè)量)， 金屬膜， 氧化物等. 樣品測(cè)試時(shí)便可完成系統(tǒng)功能演示
特點(diǎn)
? 載流子濃度
? 電阻率
? 遷移率
? 電導(dǎo)率
? α (水平電阻值/垂直電阻值)
? 霍爾常數(shù)
? 磁致電阻
| 輸入電流: | 500nA 到 10mA (500nA 步長(zhǎng)) |
| 霍爾電壓: | 0.5 到 4.5V |
| 分辨率: | 65pV |
| 樣品形狀: | 15x15， 20x20， 25x25mm， 高度可達(dá) 5mm |
| 磁場(chǎng)強(qiáng)度: | 可達(dá) 1T |
| 傳感器: | 液氮溫度到 240°C |
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