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        液氮制冷型紅外探測(cè)器(一)
        液氮制冷型紅外探測(cè)器(一)

        參考價(jià)格

        面議

        型號(hào)

        品牌

        產(chǎn)地

        美國

        樣本

        暫無
        北京卓立漢光儀器有限公司

        會(huì)員

        |

        第2年

        |

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        液氮制冷型紅外探測(cè)器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES

        ■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes

        ◆ High D* at high frequencies

        ◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm

        ◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 μm

        ◆ Linear

        ◆ Custom configurations available

        Model* Wavelength (µm)

        Peak/ Cutoff

        Size(mm) Bandwidth(Hz) D*(60FOV)

        (Jones,typ)

        Responsivity

        (Amps/Watt)

        KV104-1-A-3/11 10.5 />11.5 1 x 1 >20M 3.00E+10 >4
        KV104-1-A-3/12 11 />12.3 1 x 1 >20M 3.00E+10 >4
        KV104-1-A-3/10 9/ >10 1 x 1 >20M 5.00E+10 >4
        KV104-0.5-A-3/11 10.5/ >11.5 0.5 x 0.5 >50M 3.00E+10 >4
        KV104-0.25-A-1/11 10.5/ >11.5 0.25x0.25 >100M 3.00E+10 >4
        KV104-0.1-1-E/11 10.5 />11.5 0.1 x 0.1 >500M 3.00E+10 >4
        KV104-0.5-A-2/8 7.2 />8 0.5 x 0.5 >30M 7.00E+10 >3
        KV104-1-A-7/11/TS 10.5 />11.5 1 x 1 >20M 3.00E+10 >4
        KV104-1-A-5/11/TS 10.5 />11.5 1 x 1 >20M 3.00E+10 >4

        ■ KLD Series Linear Response MCT Detectors

        ◆Linear responsivity

        ◆High D*

        ◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm

        ◆Integral amplifier for optimum linearization

        ◆Spectral range 2 m m to 12 m m

        ◆Amplifiers matched for power range

        ◆Custom configurations available

        Model * Wavelength (μm)

        Peak / Cutoff

        Size(mm dia.) Bandwidth(Hz) D*(60FOV)

        (Jones,typ)

        Responsivity

        (Volts/mWatt)

        KLD-1-J1-3/11 10.5 / 11.5 1 2M 4.00E+10 >40
        KLD-1-J1-3/9 7.6 / 8.5 1 2M 6.00E+10 >32
        KLD-0.5-J1-3/10/DC 9 /10 0.5x0.5 DC - 5M 8.00E+10 >40
        KLD-0.5-J1-3/11/DC 10 / 11.5 0.5x0.5 DC - 5M 4.00E+10 >40
        KLD-2-J1-3/11/DC 10.5 / 11.5 2 DC - 1M 4.00E+10 >40

        ■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers

        ◆High D* at high frequencies

        ◆Bandwidth to 100 MHz

        ◆Fast risetime: 3.5 ns

        ◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm

        ◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 μm

        ◆Linear

        ◆Custom configurations available

        Model * Wavelength (μm )

        Peak / Cutoff

        Size

        (mm dia.)

        Bandwidth

        (Hz)AC DC

        D*(60FOV)

        (Jones,typ)

        Responsivity

        (Volts/mWatt)

        KMPV11-1-J1/AC 10.5 /> 11.5 1 100-20M 3.00E+10 >40
        KMPV11-1-J1/DC 10.5/ > 11.5 1 DC - 20M 3.00E+10 >40
        KMPV11-1-J2 10.5/ > 11.5 1 100-20M DC - 20M 3.00E+10 >40DC + 80AC
        KMPV8-0.5-J2/50 7.2 / >8 0.5 x 0.5 100-50M DC - 50M 6.00E+10 >16DC + 32AC
        KMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / >8 0.5 x 0.5 DC - 50M 6.00E+10 >16
        KMPV11-0.5-J1/DC 10.5 / >11.5 0.5 x 0.5 DC - 20M 3.00E+10 >40
        KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / >8 0.5 x 0.5 DC - 20M 6.00E+10 >40
        KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / >11 0.1 x 0.1 DC - 100M 2.00E+10 >16

        ■ Series KISD InSb Photodiodes

        ◆With or without integral low noise amplifiers

        ◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns

        ◆Linear response with power

        ◆High detectivity

        ◆Custom configurations available

        Model* Size

        (mm dia.)

        Bandwidth

        (Hz)AC DC

        D*(60FOV)

        (Jones, typ)

        Responsivity

        nominal

        KISD-1-A-6 1   1.50E+11 3 A/W
        KISD -2-A-6 2   1.50E+11 3 A/W
        KISD-0.5-A-6 0.5   1.50E+11 3 A/W
        KISDP-1-J1/AC 1 100-15M 1.50E+11 3 x 104 V/W
        KISDP-1-J1/DC 1 15M 1.50E+11 3 x 104 V/W
        KISDP-1-J2 1 100-15M , 15M 1.50E+11 3 x 104 V/W
        KISDP-1-J2/E5 1 100-1.5M , 1.5M 1.50E+11 3 x 105 V/W
        KISDP-1-J2/E6 1 100-200k, 200k 1.50E+11 3 x 106 V/W
        KISDP-1-J1/E6 1 200k 1.50E+11 3 x 106 V/W
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        售后服務(wù)

        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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