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Flex One 顯微光致發(fā)光光譜儀
欲了解更多信息請(qǐng)撥打:010-56370168-601 |
性能特點(diǎn):
● 一體化的光學(xué)調(diào)校 ——所有光學(xué)元件只需要在初次安裝時(shí) 進(jìn)行調(diào)校,確保高效性和易用性 ● 簡(jiǎn)單易用的雙光路設(shè)計(jì) ——可隨意在水平和垂直光路上進(jìn)行切 換,適用于各種常見(jiàn)的樣品形態(tài) ● 超寬光譜范圍** ——300nm-2200nm ● 視頻監(jiān)視光路 ——可供精確調(diào)整測(cè)試點(diǎn) ● 獨(dú)有的發(fā)射光譜校正功能* ——讓光譜測(cè)量更精準(zhǔn)且具有可比性 | ● 多種激發(fā)波長(zhǎng)可選** ——325nm,405nm,442nm, 473nm,532nm,633nm,785nm等 ● 自動(dòng)mapping功能可選* ——50mm×50mm測(cè)量區(qū)間,可定制 特殊規(guī)格 ● 電致發(fā)光(EL)功能可選* ——擴(kuò)展選項(xiàng) ● 顯微拉曼光譜測(cè)量功能可選* ——擴(kuò)展選項(xiàng) ● 超低溫測(cè)量附件可選* ——提供10K以下的超低溫測(cè)量 |
*選配項(xiàng),請(qǐng)?jiān)敿?xì)咨詢; **需根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行配置確定。 |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可見(jiàn)或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光,在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測(cè)量應(yīng)用中通常是用激光(波長(zhǎng)如325nm、532nm、785nm 等)激發(fā)材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)產(chǎn)生熒光,通過(guò)對(duì)其熒光光譜(即PL 譜)的測(cè)量,分析該材料的光學(xué)特性,如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息,是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法,因而在物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的顯微光致發(fā)光光譜儀都是采用標(biāo)準(zhǔn)的顯微鏡與熒光光譜儀的結(jié)合,但是傳統(tǒng)的顯微鏡在材料的PL 譜測(cè)量中,存在很大的局限性,比如無(wú)法靈活的選擇實(shí)驗(yàn)所需的激光器(特別對(duì)于UV 波段的激光器,沒(méi)有足夠適用的配件),無(wú)法方便的與超低溫制冷機(jī)配合使用,采用光纖作為光收集裝置時(shí)耦合效率太低等等問(wèn)題,都是采用標(biāo)準(zhǔn)顯微鏡難以回避的問(wèn)題。
北京卓立漢光儀器有限公司結(jié)合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和普遍用戶的實(shí)際需求,推出了“Flex One( 微光)”系列顯微光致發(fā)光光譜儀,有效的解決了上述問(wèn)題,是目前市場(chǎng)上**性價(jià)比的的顯微PL 光譜測(cè)量的解決方案。
( 產(chǎn)品圖片僅供參考,以實(shí)際系統(tǒng)配置為準(zhǔn))
系統(tǒng)組成
● 激發(fā)光源部分:紫外-近紅外波段各種波長(zhǎng)激光器
● 顯微光路部分:優(yōu)化設(shè)計(jì)的專用型顯微光路
● 光譜采集部分:影像校正光譜和高靈敏型科學(xué)級(jí)CCD或單點(diǎn)探測(cè)器和數(shù)據(jù)采集器
● 樣品臺(tái)支架部分:xyz三維可調(diào)樣品臺(tái)(手動(dòng)或自動(dòng))、超低溫樣品臺(tái)
參數(shù)規(guī)格表:
主型號(hào) | Flex One | |||
---|---|---|---|---|
光譜范圍 | 300-2200nm | |||
光譜分辨率 | 0.1nm | |||
激發(fā)光可選波長(zhǎng) | 325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等 | |||
探測(cè)器 | 類型 | 制冷型CCD 2000×256 | 制冷型InGaAs 512×1 | 制冷型InGaAs 512×1 |
有效范圍 | 300-1000nm | 800-1700nm | 800nm-2200nm | |
空間分辨率 | <100μm | |||
注*:以上為基本規(guī)格,詳細(xì)規(guī)格依據(jù)不同配置的選擇會(huì)有差異,詳情請(qǐng)咨詢! |
InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測(cè)試
● 樣品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長(zhǎng)的 InGaNGaN 量子阱 ● 測(cè)試條件:325nm激發(fā),功率30mW ● 光譜范圍:340-700nm |
1. 光致發(fā)光(PL)光譜測(cè)量 分別針對(duì)材料的正極( 紅色) 和負(fù) 極( 綠色) 測(cè)試得到光致發(fā)光光譜曲線 如下,GaN 的本征發(fā)光峰365nm 附近 以及黃帶,InGaN 的發(fā)光峰475nm 附近。 | |
2. 電致發(fā)光(EL)光譜測(cè)量 將材料的正負(fù)極接到直流電源的正 負(fù)極,電壓加到2.5V 時(shí)可以有明顯的 藍(lán)光發(fā)射,測(cè)量其電致發(fā)光光譜曲線如 下(紅色),峰值在475nm 附近。 |
暫無(wú)數(shù)據(jù)!