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GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結(jié)構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質(zhì)軟,易碎。
產(chǎn)品特點
● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
● 抗損傷閾值高
● 非線性系數(shù)大
● CO2激光的SHG
● 多種尺寸可選
● 客戶導向的解決方案
● 接受客戶定制服務
產(chǎn)品應用
● 太赫茲時域系統(tǒng)
● 太赫茲源晶體
● 中遠紅外氣體探測
● CO2激光的SHG
● THZ實驗光源
● 太赫茲成像
技術參數(shù)
GaSe晶體的透過率曲線
實驗室光路系統(tǒng)
EOS測量及反演結(jié)果
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