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            氮化硅(Si3N4)陶瓷基板
            氮化硅(Si3N4)陶瓷基板

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            氮化硅(Si3N4)陶瓷基板

            品牌

            方達(dá)正塬

            產(chǎn)地

            江蘇

            樣本

            暫無
            江蘇方達(dá)正塬電子材料科技有限公司

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            |

            第3年

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            司掌握了國內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進生產(chǎn)技術(shù)和研究成果,設(shè)計了國內(nèi)******氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線,產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測和軍方權(quán)威機構(gòu)檢測,驗證結(jié)果與國外產(chǎn)品相當(dāng),局部優(yōu)于國外產(chǎn)品。

            氮化硅(Si3N4)基板與BeO、Al2O3AlN基板相比較,具有綜合性能******、使用壽命***長(是AlN15~20倍)、可靠性******的特點,詳細(xì)如下:

            絕緣性好:電阻率=1.0×1015~1016,電阻率約是BeOAlN10倍,Al2O310萬倍

            導(dǎo)熱性強:熱導(dǎo)率=80-177(理論值達(dá)320),熱導(dǎo)率是Al2O33倍以上,與AlN相當(dāng),略遜于BeO

            反應(yīng)靈敏:介電常數(shù)=9.4,與Al2O3AlN相當(dāng)

            熱穩(wěn)定:熱膨脹系數(shù)=3,遠(yuǎn)低于BeO,比AlN低,約為Al2O31/3

            壽命長:耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次,是AlNAl2O315~20倍,大大降低設(shè)備折舊成本

            抗振動:高模量、機械強度大。

            BeO屬于劇毒產(chǎn)品,僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部

            Al2O3和是目前價格*********的基板,但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求。

            AlN的主要問題是價格高(與Si3N4相當(dāng))但可靠性只有Si3N4的十分之一。

            Si3N4基板具有向下兼容的特點,無需驗證即可直接替代上述三種基板,不必再次驗證。

            隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價格的下降,將逐步代替原來由Al2O3AlN占據(jù)的市場份額,

            (二) 新穎性、先進性和獨特性

            產(chǎn)品屬于國家核高基領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品,在細(xì)分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位,市場緊缺,替代進口。

            設(shè)計了國內(nèi)******氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線,嚴(yán)格的預(yù)處理技術(shù)和先進的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴(yán)格要求,晶格缺陷大大減少了,性能指標(biāo)大大提升。

            形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標(biāo)的基板和/或基片,形成高低搭配的、*********的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。


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