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        半固態(tài)膏狀聚硅氮烷TC-P21
        半固態(tài)膏狀聚硅氮烷TC-P21

        參考價格

        面議

        型號

        TC-P21

        品牌

        清瓷新材料

        產(chǎn)地

        浙江

        樣本

        暫無
        杭州清瓷新材料科技有限公司

        會員

        |

        第3年

        |

        生產(chǎn)商

        工商已核實

        留言詢價
        核心參數(shù)
        • 密度(g/c㎡):

          -
        • 品級:

          工業(yè)級
        • 外觀:

          液體
        • 有效物質(zhì)含量:

          -
        • 執(zhí)行質(zhì)量標準:

          -
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        1. 產(chǎn)品特征

        淡黃色膏狀  

        90-120℃可熔融,180-350℃熱固化(不再軟化), 紫外光(200-350nm)可固化,激光可陶瓷化

        易溶于正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯等非質(zhì)子有機溶劑。

        可添加填料,與許多基體粘合良好

        陶瓷化溫度T800℃,高陶瓷產(chǎn)率 >70%,高溫穩(wěn)定性優(yōu)異

        TC-P21是專為電子領(lǐng)域產(chǎn)品耐高溫涂層設(shè)計的一種固體聚硅氮烷樹脂,其低分子量組分含量很低,經(jīng)熱解可獲得很高的陶瓷產(chǎn)率。TC-P21溶解在非質(zhì)子溶劑中配制成涂料,建議質(zhì)量濃度不高于10%,在金屬、硅、塑料、陶瓷等基材上涂覆成膜,涂覆方式可以是浸凃、噴涂、旋涂。涂層厚度既可以通過濃度控制,也可以通過操作控制。涂料中可以加入活性或者惰性填料,涂層的性能可以由填料調(diào)控。TC-P21的溶液可以作為粘合劑層使用。

        2. 產(chǎn)品應(yīng)用

        TC-P21是一種可用的前驅(qū)體聚合物,可用干燥的非質(zhì)子溶劑(烷烴、芳香族碳氫化合物、酯)溶解或用添加劑或填料(顏料、金屬或陶瓷粉末等)改性。根據(jù)性能需要可以配制不同濃度不同填料含量的涂料。

        TC-P21可在180-450℃熱固化,200-350nm紫外光照射下可以光固化。每種情況的固化條件(光強,溫度、時間、氣氛)都必須適合于基體的幾何形狀和組成。加入的添加劑或填料會影響固化條件。

        TC-P21800℃以上熱裂解可以轉(zhuǎn)化成無定形Si/C/N材料,這種材料在更高的溫度(>1400℃)會結(jié)晶成SiC/Si3N4/C納米復(fù)合材料。熱解后得到的材料在峰溫1450℃保持穩(wěn)定,其與性能相關(guān)的性質(zhì)如相組成、密度和機械性質(zhì)極大的取決于操作和熱解條件。

        3. 技術(shù)數(shù)據(jù)

        外觀:淡黃色膏狀     聚合物含量:100%

        熔融溫度:90-120   固化:180~350,紫外光(200-350nm

        陶瓷化:激光(1064nm

         

        溶解性:溶于正己烷、甲苯、乙酸乙酯、四氫呋喃二氯甲烷等有機溶劑

        保質(zhì)期:低溫密封干燥保存24個月。

        4. 使用說明

        只有經(jīng)專業(yè)訓(xùn)練的人員才可使用本產(chǎn)品

        TC-P21對水分輕微敏感,可以在空氣中操作。

        5. 加工

        TC-P21可用于制備各種電子器件涂層,既可以做光刻膠,也可以做封裝材料

        TC-P21可配制成1-10wt%的溶液,其涂層(<1μm厚度)如果在不耐高溫的聚合物基材上,可以在空氣中用無極紫外燈/真空紫外光源照射1-2分鐘可固化成膜。

        TC-P21制備的薄膜在空氣、氮氣、氬氣、氫氣、氨氣或真空中1000℃熱解可轉(zhuǎn)化為無定形的Si/C/N材料。1000TC-P21失重量約為29%(惰性氣體中),同時其密度和硬度會加倍,在更高的溫度下(>1400℃)材料會結(jié)晶成Si3N4/SiC/C納米復(fù)合材料。固化或熱解過程中TC-P21材料性質(zhì)的變化取決于所用氣氛。SiCN的氧化的拋物線速率常數(shù)kp=1.1×10-183.8×10-18m2/sCVDPVDSiC相當。

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        6. 應(yīng)用

        TC-P21是一種負型光刻膠,可以制備幾個納米厚度薄層介電層,是一種玻璃化溫度高達1500的樹脂材料,是在耐溫性和高寬比方面比SiC更先進的一代半導(dǎo)體材料,可用于制備耐高溫1500的電子傳感器。

        7. 安全說明

        操作過程中需佩戴耐溶劑手套(如丁基膠手套或丁腈膠手套)

        使用合適的護眼設(shè)備(安全護目鏡或防護面具)

        TC-P21需遠離兒童,于陰涼(<25℃)干燥處儲存

        8. 產(chǎn)品存放與廢物處理

        TC-P21存放在陰涼(<25℃)干燥處。

        可以用有機溶劑(如正己烷、THF)除掉周邊未固化殘留TC-P21,固化或熱解后形成的材料不溶于有機溶劑,TC-P21污染的加工設(shè)備使用后應(yīng)立即清洗。

        TC-P21的廢棄物不能和含質(zhì)子物質(zhì)(如:水)混合,必須在適宜的處理地點處理廢棄物。

        9. 技術(shù)服務(wù)

        我們的技術(shù)部門可解答性能、使用和化學(xué)規(guī)格方面的技術(shù)問題。

        所有的技術(shù)信息都是基于實際經(jīng)驗的,實際條件改變時不能原封照搬,用戶需自行進行試驗,由于產(chǎn)品的使用已超出我們的管理范疇,所以我們只盡責保證產(chǎn)品始終如一的品質(zhì)。


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        售后服務(wù)

        10分

        易用性

        10分

        性價比

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