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多晶硅用氮化硅制品品牌
泰晟新材料產(chǎn)地
山東樣本
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多晶硅還原爐是提煉多晶硅棒的專用設備，高壓啟動方式要求首先施高壓擊穿，使純硅成為電阻率較低的導體，進而提升導通電流速度，使硅芯內(nèi)部溫度快速上升，大大縮短啟動時間，提高生產(chǎn)效率。故而需要耐高溫的高絕緣性陶瓷材料，防止高溫高壓下絕緣失效，造成電擊穿。傳統(tǒng)氧化鋁材質(zhì)由于自身性能限制，使用壽命很短，故而氮化硅陶瓷材料成為其**。
??**一代優(yōu)質(zhì)多晶硅還原爐/氫化爐用高壓電極絕緣環(huán)、保護套、隔熱罩、絕緣套筒，采用氣壓燒結氮化硅，絕緣性好、韌性高、耐高溫、強度高、抗熱震，可防止倒棒時破壞電極，比氧化鋁材質(zhì)的同類產(chǎn)品壽命長10倍以上，減少停爐損失和更換成本，節(jié)約操作時間，降低勞動強度，綜合效益提高3倍。已在國內(nèi)得到廣泛應用，與進口產(chǎn)品性能相當，獲得客戶一致好評。是國內(nèi)廣大多晶硅廠家提升產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率的**。
常規(guī)尺寸：
根據(jù)圖紙生產(chǎn)
優(yōu)點：
1. 冷等靜壓成型
2.氣壓燒結
3.高抗壓強度與抗折強度
4. 低熱膨脹系數(shù)
5.優(yōu)良的抗熱震性能
6.電絕緣性優(yōu)良
7.強耐電沖擊性
產(chǎn)品指標：
參數(shù)：氣壓燒結氮化硅
密度：>3.2g/cm3
Si3N4 含量：>92%
抗折強度：>600Mpa
抗壓強度：>1500Mpa
導熱系數(shù)(W/mk)：16-22
氣孔率：0
熱膨脹系數(shù)(RT-1000℃)：3.2
**工作溫度（空氣 中）：1400℃
硬度(HRA)：>92
暫無數(shù)據(jù)！
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