擴(kuò)散氧化爐

　擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝。水平管式爐的設(shè)計(jì)考慮了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要，具有**生產(chǎn)能力和優(yōu)越的性能指標(biāo)。

　采用高可靠性工控機(jī)+PLC模式，對(duì)爐溫、進(jìn)退舟、氣體流量、閥門進(jìn)行全自動(dòng)控制,實(shí)現(xiàn)全部工藝過(guò)程自動(dòng)化；
　　關(guān)鍵部件均采用進(jìn)口，確保設(shè)備的高可靠性；
　　具有友好的人機(jī)界面，用戶可以方便地修改工藝控制參數(shù)，并可隨時(shí)顯示各種工藝狀態(tài)；
　　具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇；
　　具有多種報(bào)警功能及安全保護(hù)功能；
　　具有強(qiáng)大的軟件功能，配有故障自診斷軟件，可大大節(jié)省維修時(shí)間；
　　恒溫區(qū)自動(dòng)調(diào)整，串級(jí)控制，可準(zhǔn)確控制反應(yīng)管的實(shí)際工藝溫度。

適用晶片尺寸： 2~8英寸圓片
　　工作溫度： 600℃～1300℃；
　　可配工藝管數(shù)量： 1~4管/臺(tái)
　　恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度：≤±0.5℃/300~800mm （800℃～1300℃），
　　單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性：≤±0.5℃℃ /24h （1100℃）；
　　溫度斜變能力：**升溫速率：20℃/min，**降溫速率：5℃/min；
　　具有超溫、斷偶、熱偶短路、工藝氣體流量偏差報(bào)警和保護(hù)功能；
　　可根據(jù)用戶要求定制產(chǎn)品。

用于半導(dǎo)體器件、集成電路制造過(guò)程中擴(kuò)散、氧化、退火及合金工藝。